| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-24页 |
| §1．1课题背景 | 第8-9页 |
| §1．2异质结器件 | 第9-14页 |
| §1．3SiGe材料特性 | 第14-17页 |
| §1．4SiGe HBT的发展状况 | 第17-23页 |
| §1．5本论文的主要工作 | 第23-24页 |
| 第2章 SiGe HBT纵向结构设计 | 第24-40页 |
| §2．1SiGe HBT的工作原理 | 第24-28页 |
| §2．2SiGe HBT的功率参数 | 第28-30页 |
| §2．3SiGe HBT纵向结构设计 | 第30-40页 |
| 2．3．1 发射区设计 | 第30-32页 |
| 2．3．2 基区设计 | 第32-36页 |
| 2．3．3 集电区设计 | 第36-38页 |
| 2．3．4 本节小结 | 第38-40页 |
| 第3章 SiGe HBT缓冲层设计 | 第40-48页 |
| §3．1SiGe HBT基区杂质外扩的产生机理 | 第40-45页 |
| §3．2SiGe HBT缓冲层设计 | 第45-48页 |
| 第四章 SiGe HBT直流特性及结构分析 | 第48-61页 |
| §4．1SiGe HBT样品的结构分析 | 第48-50页 |
| §4．2SiGe HBT样品的直流特性分析 | 第50-56页 |
| 4．2．1 发射结正反向特性分析 | 第50-52页 |
| 4．2．2 集电结正反向特性分析 | 第52-55页 |
| 4．2．3 SiGe HBT输出特性分析 | 第55-56页 |
| §4．3SiGe HBT样品电极引线及压焊点的寄生效应对器件性能影响的分析 | 第56-58页 |
| §4．4SiGe HBT的横向设计 | 第58-59页 |
| §4．5本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65页 |