| 内容提要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 序言 | 第10-15页 |
| 第一节 HBT 的发展及研究现状 | 第10-13页 |
| 第二节 本论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 HBT 的基本原理 | 第15-20页 |
| 第一节 能带工程 | 第15页 |
| 第二节 HBT 的电流增益 | 第15-16页 |
| 第三节 HBT 的频率特性 | 第16-18页 |
| 第四节 HBT 的功率特性 | 第18-19页 |
| 第五节 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 自热效应及自热补偿方法研究 | 第20-39页 |
| 第一节 从I_C-V_(BE)曲线角度研究自热效应及自热补偿方法 | 第20-27页 |
| 一、自热效应在I_C-V_(BE)曲线中的表现 | 第20-21页 |
| 二、考虑镇流电阻、异质结等情况下的I_C-V_(BE)特性关系式 | 第21-22页 |
| 三、从自热补偿角度分析影响I_C-V_(BE)曲线折回的因素 | 第22-24页 |
| 四、功率器件热稳定工作所需最小镇流电阻R_(Emin)表达式的推导 | 第24-25页 |
| 五、从提高器件功率处理能力角度分析影响R_(EminHBT)的因素 | 第25-27页 |
| 第二节 从热电反馈网络角度研究自热效应及自热补偿方法 | 第27-37页 |
| 一、热电反馈网络 | 第27页 |
| 二、热稳定因子S 及其物理意义 | 第27-28页 |
| 三、考虑电压负温度系数、异质结等情况下的热稳定因子S 表达式 | 第28-30页 |
| 四、减小热稳定因子S、改善器件热稳定性的途径 | 第30-33页 |
| 五、HBT 与BJT 热稳定性的比较及讨论 | 第33页 |
| 六、HBT 自热完全补偿所需镇流电阻的表达式及讨论 | 第33-37页 |
| 第三节 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 多发射极功率 HBT 热电耦合及其补偿方法 | 第39-51页 |
| 第一节 多发射极功率HBT 热传导模型的建立 | 第39-41页 |
| 第二节 用自洽迭代法模拟芯片表面稳态温度场分布 | 第41-43页 |
| 第三节 发射极非均匀条长设计对多发射极功率HBT 热电耦合的补偿 | 第43-45页 |
| 第四节 发射极非均匀条间距设计对多发射极功率HBT 热电耦合的补偿 | 第45-47页 |
| 第五节 发射极非均匀镇流电阻设计对多发射极功率HBT 热电耦合的补偿 | 第47-49页 |
| 第六节 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 射频功率 SiGe HBT 优化设计及工艺流程 | 第51-62页 |
| 第一节 引言 | 第51页 |
| 第二节 器件纵向结构参数设计 | 第51-52页 |
| 第三节 版图横向优化设计 | 第52-54页 |
| 一、非均匀条长设计方案 | 第52-53页 |
| 二、非均匀条间距设计方案 | 第53-54页 |
| 第四节 射频功率SiGe HBT 工艺流程和部分实验结果 | 第54-60页 |
| 第五节 本章小结 | 第60-62页 |
| 结束语 | 第62-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 后记 | 第69-70页 |
| 硕士期间科研成果 | 第70-71页 |
