| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·课题背景及研究意义 | 第10页 |
| ·IGBT 技术概述 | 第10-13页 |
| ·高密度元胞IGBT(High Density Cell IGBT，HDC-IGBT) | 第11页 |
| ·槽栅IGBT(Trench Gate IGBT，TG-IGBT) | 第11-12页 |
| ·集电极短路IGBT(Collector Short –IGBT，CS-IGBT) | 第12页 |
| ·透明集电极IGBT(Transparent Collector-IGBT，TC-IGBT) | 第12-13页 |
| ·硅片直接键合IGBT(Silicon Direct Bonding IGBT，SDB-IGBT) | 第13页 |
| ·IGBT 技术国内外研究现状及发展趋势 | 第13-16页 |
| ·国外研究现状 | 第13-15页 |
| ·国内研究现状 | 第15-16页 |
| ·IGBT 的技术发展趋势 | 第16页 |
| ·课题来源及主要研究内容 | 第16页 |
| ·题来源 | 第16页 |
| ·要研究内容 | 第16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 第2章 IGBT 的结构及工作原理 | 第17-27页 |
| ·IGBT 的结构 | 第17-18页 |
| ·IGBT 的工作原理 | 第18-21页 |
| ·IGBT 的开关特性 | 第21-23页 |
| ·IGBT 的闭锁效应 | 第23-26页 |
| ·产生闭锁的条件 | 第24页 |
| ·提高抗闭锁能力的具体措施 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 IGBT 加工工艺技术研究 | 第27-43页 |
| ·挖槽工艺技术研究 | 第27-33页 |
| ·简化槽栅工艺 | 第29-30页 |
| ·槽栅结构IGBT 的工艺流程 | 第30-33页 |
| ·实验结果 | 第33页 |
| ·亚微米微细加工技术研究 | 第33-37页 |
| ·曝光技术 | 第34-35页 |
| ·刻蚀技术 | 第35-37页 |
| ·透明集电极技术研究 | 第37-39页 |
| ·PT-IGBT 和NPT-IGBT 结构 | 第37-38页 |
| ·PT-IGBT 结构的缺点 | 第38页 |
| ·透明集电极结构设计 | 第38-39页 |
| ·薄单晶硅片技术研究 | 第39页 |
| ·平面终端结构技术研究 | 第39-42页 |
| ·场限环-场板复合终端结构 | 第39-40页 |
| ·场限环－场板复合终端结构的优化设计 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 在攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 工程硕士研究生个人简历 | 第49页 |
