4H-SiC金属—半导体双极晶体管的模拟研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章绪论 | 第7-13页 |
| ·碳化硅材料的基本特性及应用 | 第7-9页 |
| ·4H-SiC研究中遇到的问题 | 第9-10页 |
| ·4H-SiC双极晶体管的研究意义 | 第10页 |
| ·国内外研究进展 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章p型SiC肖特基接触 | 第13-28页 |
| ·肖特基接触整流机理 | 第13-16页 |
| ·肖特基二极管中载流子的输运机制 | 第13-15页 |
| ·肖特基二极管I-V特性模型 | 第15-16页 |
| ·ISE TCAD模拟中的算法和基本方程 | 第16-18页 |
| ·ISE TCAD简介 | 第16页 |
| ·算法设置 | 第16-17页 |
| ·基本方程 | 第17-18页 |
| ·p型SiC肖特基二极管正向I-V特性模拟 | 第18-27页 |
| ·器件基本结构 | 第18-19页 |
| ·器件模型和主要参数 | 第19-23页 |
| ·边界条件 | 第23-24页 |
| ·正向I-V特性模拟 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章金属-半导体双极晶体管直流特性 | 第28-45页 |
| ·双极晶体管工作机理及基本结构 | 第28-31页 |
| ·NPN双极晶体管的工作机理 | 第28-30页 |
| ·4H-SiC双极晶体管的基本结构 | 第30-31页 |
| ·金属-半导体双极晶体管直流特性 | 第31-39页 |
| ·金属-半导体双极晶体管中的关键问题 | 第31-34页 |
| ·金属-半导体双极晶体管直流特性模拟 | 第34-37页 |
| ·金属-半导体双极晶体管击穿特性 | 第37-39页 |
| ·金属-半导体双极晶体管直流增益影响因素 | 第39-43页 |
| ·界面态对器件直流特性的影响 | 第40-41页 |
| ·基区厚度对器件直流特性的影响 | 第41页 |
| ·器件直流增益的温度特性 | 第41-43页 |
| ·增益随时间的退化 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 金属-半导体双极晶体管频率特性 | 第45-53页 |
| ·晶体管交流小信号电流传输特点与频率参数 | 第45-47页 |
| ·晶体管交流小信号的电流传输特点 | 第45页 |
| ·晶体管频率特性的参数 | 第45-47页 |
| ·器件结构对频率特性的影响 | 第47-48页 |
| ·集电区的设计 | 第47-48页 |
| ·基区的设计 | 第48页 |
| ·金属-半导体双极晶体管频率特性模拟 | 第48-52页 |
| ·频率特性的模拟方法 | 第48-50页 |
| ·频率特性的模拟结果及分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结束语 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
