| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 ZnO材料的性质和国内外研究现状 | 第11-38页 |
| ·概述 | 第11页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第11-26页 |
| ·ZnO材料的晶体结构 | 第13页 |
| ·ZnO晶体中的缺陷 | 第13-17页 |
| ·ZnO的能带结构 | 第17-19页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第19-22页 |
| ·ZnO的电学性质 | 第22-25页 |
| ·ZnO的其它性质 | 第25-26页 |
| ·ZnO基薄膜和器件研究进展 | 第26-36页 |
| ·ZnO基pn结型紫外探测器 | 第27-30页 |
| ·ZnO材料肖特基结探测器 | 第30-31页 |
| ·ZnO光电导型紫外探测器 | 第31-32页 |
| ·ZnO三元化合物半导体材料探测器 | 第32-36页 |
| ·本论文的选题依据和主要研究内容 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第二章 磁控溅射薄膜制备方法和薄膜主要表征方法 | 第38-51页 |
| ·磁控溅射方法 | 第38-41页 |
| ·辉光放电 | 第38-40页 |
| ·辉光区的划分及溅射的形成 | 第40-41页 |
| ·溅射成膜过程 | 第41-42页 |
| ·溅射过程 | 第41-42页 |
| ·溅射的特点和应用 | 第42页 |
| ·样品的分析和表征手段 | 第42-50页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第43-45页 |
| ·透射和吸收光谱 | 第45-46页 |
| ·光致发光谱 | 第46-47页 |
| ·霍耳效应(Hall Effect) | 第47-49页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 磁控溅射制备的ZnO薄膜的特性研究 | 第51-77页 |
| ·概述 | 第51-53页 |
| ·实验所用的设备和材料 | 第53-54页 |
| ·实验所用设备 | 第53-54页 |
| ·实验所用到的材料 | 第54页 |
| ·反应磁控溅射方法制备ZnO薄膜的工艺 | 第54-57页 |
| ·衬底的清洗 | 第55-56页 |
| ·反应磁控溅射制备ZnO薄膜 | 第56-57页 |
| ·不同溅射电压下ZnO薄膜性质的研究 | 第57-64页 |
| ·薄膜的结构特性 | 第58-60页 |
| ·薄膜的发光特性 | 第60-61页 |
| ·薄膜的光学透过特性和光学带隙 | 第61-62页 |
| ·薄膜的厚度特性 | 第62-63页 |
| ·薄膜的Zn/O原子比例 | 第63-64页 |
| ·薄膜的电学特性 | 第64页 |
| ·相同溅射电压,不同溅射气体比例下的薄膜性质 | 第64-75页 |
| ·薄膜的结构特性 | 第64-67页 |
| ·薄膜的发光特性 | 第67-69页 |
| ·薄膜的光学透过特性和光学带隙 | 第69-73页 |
| ·薄膜的厚度特性 | 第73-74页 |
| ·薄膜的Zn/O比例 | 第74-75页 |
| ·薄膜的电学性质 | 第75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第四章 Si衬底上ZnO薄膜性质改善技术研究 | 第77-92页 |
| ·概述 | 第77页 |
| ·Si衬底上引入Al_2O_3缓冲层制备的ZnO薄膜的性质研究 | 第77-83页 |
| ·Al_2O_3缓冲层的制备和性质研究 | 第77-81页 |
| ·Al_2O_3缓冲层上ZnO薄膜的制备工艺 | 第81页 |
| ·引入Al_2O_3缓冲层后ZnO薄膜的性质 | 第81-83页 |
| ·Si衬底上引入光刻工艺后ZnO薄膜性质的研究 | 第83-90页 |
| ·引入光刻技术制备高质量ZnO薄膜的具体工艺 | 第84-87页 |
| ·引入光刻技术制备高质量ZnO薄膜的性质 | 第87-88页 |
| ·光刻工艺提高ZnO薄膜质量的理论探讨 | 第88-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第五章 紫外辐射和ZnO基紫外光探测器技术基础研究 | 第92-119页 |
| ·概述 | 第92页 |
| ·半导体紫外光探测器的分类和特性参数 | 第92-99页 |
| ·半导体紫外光探测器的分类 | 第92-96页 |
| ·紫外探测器的特性参数 | 第96-99页 |
| ·ZnO基光电导紫外探测器的基础研究 | 第99-105页 |
| ·光电导探测器的原理和特点 | 第99-101页 |
| ·ZnO光电导紫外探测器的制备 | 第101-103页 |
| ·ZnO光电导紫外探测器性能基础研究 | 第103-105页 |
| ·ZnO基pn结型紫外探测器的基础研究 | 第105-118页 |
| ·p-n结探测器的原理和特点 | 第105-107页 |
| ·p-si/n-ZnO紫外探测器的制备和性能基础研究 | 第107-109页 |
| ·p-NiO/n-ZnO基p-n结型探测器的制备和性能的基础研究 | 第109-118页 |
| ·本章小结 | 第118-119页 |
| 结论和展望 | 第119-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-129页 |
| 个人简介 | 第129页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第129-130页 |
