| 论文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 引言 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-33页 |
| ·InN及Ⅲ族氮化物材料的基本性质 | 第15-21页 |
| ·InN材料外延生长 | 第21-30页 |
| ·InN及Ⅲ族氮化物的发展现状 | 第30-31页 |
| ·InN材料面临的困难 | 第31页 |
| ·本论文的选题依据和工作安排 | 第31-33页 |
| 第二章 分子束外延生长及分析测试技术 | 第33-53页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第33-37页 |
| ·原位监测技术 | 第37-40页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料表征技术 | 第40-53页 |
| 第三章 InN薄膜的生长 | 第53-72页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·温度对In极性InN的影响 | 第54-60页 |
| ·InGaN及低温InN缓冲层改善InN性能 | 第60-66页 |
| ·Si实现InN的n型掺杂及影响 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 InN纳米柱的生长 | 第72-78页 |
| ·引言 | 第72页 |
| ·InGaN缓冲层实现InN纳米柱在GaN衬底上的生长 | 第72-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 Cu_2O/InN异质结构的研究 | 第78-87页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·Cu_2O/InN的制备与性质 | 第79-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第六章 InGaN高转换效率太阳能电池设计 | 第87-100页 |
| ·引言 | 第87-88页 |
| ·太阳能电池的背景及当前发展 | 第88-94页 |
| ·InGaN叠层高转换效率太阳能电池 | 第94-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第七章 全文总结 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-113页 |
| 攻读博士学位期间发表文章 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115页 |