| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-29页 |
| ·透明导电氧化物的特性及应用 | 第10-12页 |
| ·ZnO晶体的特性 | 第12-16页 |
| ·ZnO基透明导电薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| ·ZnO基透明导电薄膜的研究现状 | 第19-27页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 2 多晶半导体薄膜中载流子输运机制的若干模型 | 第29-37页 |
| ·电离杂质散射和中性杂质散射 | 第29-31页 |
| ·晶格振动散射和晶格位错散射 | 第31-33页 |
| ·晶界散射 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 3 多晶半导体晶界处载流子输运理论研究 | 第37-49页 |
| ·简并半导体的特征 | 第37-38页 |
| ·多晶半导体的热电子发射理论 | 第38-44页 |
| ·多晶半导体晶界隧道效应 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 4 AZO透明导电薄膜的载流子输运机制研究 | 第49-63页 |
| ·样品的选择及其特性测试结果 | 第49-50页 |
| ·载流子有效质量评价 | 第50-52页 |
| ·载流子输运机制讨论 | 第52-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 5 薄膜厚度对AZO薄膜微观结构和电学特性的影响研究 | 第63-82页 |
| ·AZO薄膜样品的制备 | 第63-64页 |
| ·薄膜厚度对AZO薄膜微观结构和电学特性的影响分析 | 第64-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 6 玻璃基SiO_2阻挡层对AZO薄膜特性的影响研究 | 第82-94页 |
| ·AZO/SiO_2薄膜结构的制备 | 第82-83页 |
| ·SiO_2阻挡层对AZO薄膜特性的影响分析 | 第83-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 7 Ar气中的H_2和O_2对AZO薄膜特性的影响研究 | 第94-106页 |
| ·ZnO薄膜中H原子状态及行为 | 第94-96页 |
| ·AZO薄膜样品的制备 | 第96页 |
| ·H_2和O_2对AZO薄膜特性的分析 | 第96-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 8 论文总结 | 第106-108页 |
| 附录 依据隧道效应的载流子对双层肖特基势垒的透过率 | 第108-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-121页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第121页 |
