高压下InN的电输运性质研究
中文摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-21页 |
·高压物理学 | 第11-12页 |
·高压实验装置简介 | 第12-15页 |
·Ⅲ族氮化物半导体材料研究概况 | 第15-18页 |
·本论文的选题目的和意义 | 第18-20页 |
·本论文各部分主要内容 | 第20-21页 |
第二章 高压原位电学测量技术 | 第21-32页 |
·高压下原位电学测量技术概述 | 第21-22页 |
·高压原位电学测量技术 | 第22-31页 |
·实验方法及手段 | 第22-26页 |
·直流电阻测量原理 | 第26-28页 |
·高压原位霍尔效应测量原理 | 第28-31页 |
·本章小结 | 第31-32页 |
第三章 高压下 InN 的电输运性质 | 第32-44页 |
·InN 的概况及高压研究背景 | 第32-35页 |
·样品 InN 的 XRD 表征 | 第35-36页 |
·常温条件下 InN 的高压直流电学性质研究 | 第36-38页 |
·InN 的电阻率测量 | 第36-37页 |
·实验过程中的电极导电性测试 | 第37-38页 |
·InN 的霍尔效应研究 | 第38-40页 |
·霍尔效应的研究意义 | 第38-39页 |
·InN 的高压原位霍尔效应测量 | 第39-40页 |
·变温条件下 InN 的高压直流电学性质研究 | 第40-43页 |
·本章小结 | 第43-44页 |
第四章 InN 的能带结构 | 第44-49页 |
·InN 能带的理论计算 | 第44-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
参考文献 | 第51-57页 |
作者简介 | 第57-58页 |
致谢 | 第58页 |