| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-37页 |
| ·ZnO 材料的基本性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO 材料的研究热点及其进展 | 第13-33页 |
| ·ZnO 材料研究过程中遇到的困难和发展的趋势 | 第33-34页 |
| ·本论文的选题依据和研究内容 | 第34-37页 |
| 第2章 用于 ZnO 薄膜制备的分子束外延设备及常用的表征手段 | 第37-65页 |
| ·等离子体辅助分子束外延 | 第37-45页 |
| ·ZnO 薄膜样品常用分析表征手段 | 第45-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第3章 低背景载流子浓度高质量 ZnO 薄膜的制备 | 第65-77页 |
| ·本征ZnO 薄膜背景载流子来源研究 | 第67-72页 |
| ·低背景载流子浓度高质量ZnO 的制备和表征 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第4章 Li-N 双受主共掺杂p 型 ZnO 的制备及其实现机制研究 | 第77-85页 |
| ·Li-N 双受主共掺杂p 型ZnO 薄膜的制备 | 第78-79页 |
| ·Li-N 双受主共掺杂ZnO p 型实现机制研究 | 第79-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 第5章 ZnO 基同质p-i-n 结构发光二极管 | 第85-93页 |
| ·ZnO 基同质p-i-n 结型器件的制备 | 第86-88页 |
| ·ZnO 基同质p-i-n 结型器件性能研究 | 第88-90页 |
| ·本章小结 | 第90-93页 |
| 第6章 ZnO 基同质p-i-n 结型器件探测性能研究 | 第93-99页 |
| ·ZnO 基光电探测器的研究进展 | 第93-94页 |
| ·ZnO 基同质p-i-n 结型器件探测性能研究 | 第94-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 第7章 结论与展望 | 第99-103页 |
| ·全文总结 | 第99-100页 |
| ·研究展望 | 第100-103页 |
| 参考文献 | 第103-111页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第111-113页 |
| 指导教师及作者简介 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
