| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·薄膜技术的研究及其进展 | 第9页 |
| ·Ⅲ族氮化物的发展 | 第9-10页 |
| ·InGaN材料的研究进展 | 第10-11页 |
| ·InGaN材料在光电器件中的应用与进展 | 第11-12页 |
| ·InGaN材料的基本性质 | 第12-15页 |
| ·结构特性 | 第12-13页 |
| ·光学特性 | 第13-14页 |
| ·电学特性 | 第14-15页 |
| ·本论文的研究意义及研究内容 | 第15-16页 |
| 2 薄膜的形成理论与InGaN薄膜的生长动力学 | 第16-21页 |
| ·薄膜的形成理论 | 第16-19页 |
| ·凝结过程 | 第16页 |
| ·核形成与生长过程 | 第16-18页 |
| ·岛的形成与结合生长过程 | 第18-19页 |
| ·InGaN薄膜的生长动力学 | 第19-21页 |
| ·InGaN薄膜生长的参数分析 | 第19-20页 |
| ·InGaN薄膜的生长方法 | 第20-21页 |
| 3 实验设备和分析技术 | 第21-33页 |
| ·实验设备 | 第21-25页 |
| ·薄膜的表征技术 | 第25-33页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25-27页 |
| ·电子探针(EPMA) | 第27-28页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第28-30页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第30-31页 |
| ·表面轮廓仪(Zygo 3D) | 第31页 |
| ·光致发光(PL)谱 | 第31-33页 |
| 4 高In组分InGaN薄膜的ECR-PEMOCVD生长及其表征 | 第33-44页 |
| ·InGaN薄膜的制备 | 第33-36页 |
| ·衬底的等离子体清洗 | 第33-34页 |
| ·衬底的氮化 | 第34页 |
| ·缓冲层的生长 | 第34-35页 |
| ·外延层InGaN薄膜的生长 | 第35-36页 |
| ·InGaN薄膜的XRD分析 | 第36-38页 |
| ·InGaN薄膜的PL谱分析 | 第38-39页 |
| ·InGaN薄膜的AFM分析 | 第39-40页 |
| ·InGaN薄膜的组分分析 | 第40-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |