| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 绪论 | 第12-14页 |
| 第一章 引言和国内外研究现状 | 第14-30页 |
| ·红外光电探测器简介 | 第14-16页 |
| ·硅光电二极管的原理及现状 | 第16-22页 |
| ·基本原理 | 第16-19页 |
| ·硅光电二极管现状 | 第19-22页 |
| ·黑硅材料的简介 | 第22-30页 |
| ·黑硅材料的发现 | 第22-25页 |
| ·黑硅的主要性质 | 第25-28页 |
| ·黑硅的主要用途 | 第28-30页 |
| 第二章 飞秒激光简介及其与固体物质的相互作用 | 第30-36页 |
| ·飞秒激光技术简介 | 第30-31页 |
| ·飞秒脉冲激光与固体物质的相互作用 | 第31页 |
| ·飞秒激光与硅的相互作用 | 第31-36页 |
| 第三章 黑硅材料的制备及其特性随实验参数的变化 | 第36-55页 |
| ·实验准备及加工步骤 | 第36-37页 |
| ·样品准备 | 第36页 |
| ·实验系统搭建及加工步骤 | 第36-37页 |
| ·黑硅形貌特性随实验参数的变化 | 第37-42页 |
| ·恒定激光脉冲数，飞秒激光功率对黑硅表面形貌的影响 | 第38-40页 |
| ·恒定激光功率，飞秒激光脉冲数对黑硅表面形貌的影响 | 第40-42页 |
| ·黑硅光学特性随实验参数的变化 | 第42-54页 |
| ·黑硅的光学特性随激光功率的变化 | 第43-45页 |
| ·黑硅的光学特性随脉冲数的变化 | 第45-47页 |
| ·黑硅的光学特性随扫描间距的变化 | 第47-49页 |
| ·黑硅的光学特性随退火温度的变化 | 第49-54页 |
| ·退火对不同功率密度下加工的黑硅光学特性的影响 | 第49-51页 |
| ·退火对不同掺杂浓度的硅基底上加工出来的黑硅的光学特性的影响 | 第51-52页 |
| ·不同退火温度对黑硅光学性能的影响 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 黑硅材料制备的光电探测器件性能的表征 | 第55-63页 |
| ·受光面积为 5x5mm2的大面积器件 | 第55-58页 |
| ·器件的加工工艺 | 第55-56页 |
| ·器件的性能表征 | 第56-58页 |
| ·I-V 特性 | 第56-57页 |
| ·光响应特性 | 第57-58页 |
| ·受光面积较小的器件 | 第58-62页 |
| ·器件的加工工艺 | 第59-60页 |
| ·器件的性能表征 | 第60-62页 |
| ·I-V 特性 | 第60-61页 |
| ·光响应特性 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 黑硅材料的显结 | 第63-72页 |
| ·显结工作的意义 | 第63页 |
| ·传统显结方法及原理 | 第63-68页 |
| ·HF+HNO3 腐蚀显结 | 第64-65页 |
| ·电化学镀铜法 | 第65-68页 |
| ·利用化学镀铜法在普通 P-N 上显结 | 第66-67页 |
| ·利用化学镀铜法在黑硅上显结 | 第67-68页 |
| ·黑硅的研磨抛光 | 第68-71页 |
| ·黑硅的平面抛光 | 第68-70页 |
| ·黑硅的垂直抛光 | 第70-71页 |
| ·黑硅研磨抛光的意义 | 第71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-74页 |
| ·主要工作与创新点 | 第72-73页 |
| ·后续工作及展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
