| 内容提要 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·ZnO材料的性质 | 第13-17页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第13-15页 |
| ·ZnO的电学性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第16-17页 |
| ·ZnO的实际应用 | 第17-21页 |
| ·发光器件 | 第17-19页 |
| ·透明导电膜 | 第19-20页 |
| ·紫外探测器 | 第20-21页 |
| ·ZnMgO的基本性质及研究现状 | 第21-26页 |
| ·ZnMgO材料的基本性质 | 第21-23页 |
| ·ZnMgO薄膜的研究现状 | 第23-26页 |
| 第二章 ZnMgO材料的生长及表征技术 | 第26-38页 |
| ·ZnMgO材料的几种制备方法 | 第26-28页 |
| ·溅射法(Sputtering) | 第26页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第26页 |
| ·热解喷涂法(Spray Pyrolysis) | 第26-27页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第27-28页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法(MOCVD) | 第28页 |
| ·MOCVD法生长ZnMgO薄膜 | 第28-33页 |
| ·生长源材料的选择 | 第28-31页 |
| ·MOCVD系统简介 | 第31-33页 |
| ·样品分析和表征技术 | 第33-38页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第33-34页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第34-35页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第35-36页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第36-37页 |
| ·霍尔测试(Hall) | 第37-38页 |
| 第三章 ZnMgO薄膜的生长、优化及特性研究 | 第38-48页 |
| ·衬底的选择 | 第38页 |
| ·MOCVD法制备ZnMgO薄膜的过程 | 第38-39页 |
| ·生长温度对ZnMgO薄膜质量的影响 | 第39-43页 |
| ·生长温度对晶体结构的影响 | 第39-41页 |
| ·生长温度对表面形貌的影响 | 第41-42页 |
| ·生长温度对光学质量的影响 | 第42-43页 |
| ·缓冲层生长温度对ZnMgO薄膜质量的影响 | 第43-48页 |
| ·缓冲层生长温度对ZnMgO薄膜晶体质量的影响 | 第43-44页 |
| ·缓冲层生长温度对ZnMgO薄膜表面形貌的影响 | 第44-45页 |
| ·缓冲层生长温度对ZnMgO薄膜发光质量的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 As掺杂ZnMgO薄膜及其紫外发光器件制备 | 第48-64页 |
| ·制备p-ZnMgO薄膜的几种主要方法 | 第48-49页 |
| ·ZnMgO薄膜的Ⅰ族元素掺杂 | 第48页 |
| ·ZnMgO薄膜的Ⅴ族元素掺杂 | 第48-49页 |
| ·ZnMgO薄膜的Ⅲ-Ⅴ族元素共掺 | 第49页 |
| ·GaAs夹层的制备与特性研究 | 第49-51页 |
| ·GaAs夹层的制备 | 第50页 |
| ·GaAs夹层的性质 | 第50-51页 |
| ·生长温度对As掺杂ZnMgO薄膜性质的影响 | 第51-56页 |
| ·生长温度对As掺杂ZnMgO薄膜电学质量的影响 | 第52-53页 |
| ·生长温度对As掺杂ZnMgO薄膜晶体质量的影响 | 第53-54页 |
| ·生长温度对As掺杂ZnMgO薄膜表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| ·生长温度对As掺杂ZnMgO薄膜发光质量的影响 | 第55-56页 |
| ·p-ZnMgO/n-GaN异质结发光器件的制备及其特性研究 | 第56-62页 |
| ·n-GaN衬底上p-ZnMgO：As薄膜的制备及性质研究 | 第56-58页 |
| ·p-ZnMgO/n-GaN异质结发光器件的发光特性 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
