| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·新型非挥发性存储器的比较 | 第10-11页 |
| ·非挥发性阻变存储器 | 第11-13页 |
| ·非挥发性阻变存储器的材料体系 | 第12-13页 |
| ·非挥发性阻变存储器的研究现状 | 第13页 |
| ·氧化钒薄膜的制备及其应用 | 第13-18页 |
| ·氧化钒薄膜的结构及性质 | 第13-16页 |
| ·氧化钒薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| ·氧化钒薄膜的应用 | 第18页 |
| ·氧化钒薄膜的研究现状及应用于 RRAM 存在的问题 | 第18-20页 |
| ·本论文的主要研究内容及意义 | 第20-21页 |
| 第二章 氧化钒基阻变存储器单元制备及表征分析方法 | 第21-28页 |
| ·基于氧化钒的阻变存储器件结构设计及其制备过程 | 第21-23页 |
| ·基于氧化钒薄膜的阻变存储器单元的结构设计 | 第21-22页 |
| ·阻变存储单元的制备过程 | 第22-23页 |
| ·薄膜制备的实验平台 | 第23-24页 |
| ·多功能离子束与磁控联合溅射系统 | 第23-24页 |
| ·退火设备 | 第24页 |
| ·阻变器件功能层材料（VOx）的表征分析 | 第24-28页 |
| ·AFM 形貌分析 | 第24-25页 |
| ·XRD 物相分析 | 第25页 |
| ·SEM 器件结构分析 | 第25-26页 |
| ·XPS 分析 | 第26页 |
| ·厚度分析 | 第26-27页 |
| ·电致开关特性测试 | 第27-28页 |
| 第三章 氧化钒薄膜的制备及材料性能分析 | 第28-43页 |
| ·氧化钒薄膜沉积的工艺参数 | 第28-30页 |
| ·不同工艺下氧化钒薄膜的测试分析 | 第30-42页 |
| ·薄膜沉积速率及形貌分析 | 第30-37页 |
| ·薄膜成分分析 | 第37-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 氧化钒薄膜的电致开关特性分析 | 第43-54页 |
| ·现存的阻变型存储器的存储机理 | 第43-44页 |
| ·不同薄膜制备工艺对氧化钒薄膜的电致开关特性的影响 | 第44-46页 |
| ·下电极材料对氧化钒薄膜阻变特性的影响 | 第46-48页 |
| ·薄膜厚度对氧化钒薄膜阻变性能的影响 | 第48-52页 |
| ·氧化钒薄膜的阻变机理的探索 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |