真空蒸发—氧化法制备CIO薄膜的研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
1 绪论	第8-14页
·透明导电薄膜的研究现状	第8-10页
·CIO薄膜的基本性质	第10-11页
·CIO薄膜的应用前景	第11-12页
·本文研究的意义及内容	第12-14页
2 薄膜的制备方法技术与表征手段	第14-24页
·薄膜的制备方法	第14-18页
·表征手段	第18-22页
·X射线衍射(XRD)	第18-19页
·扫描电子显微镜(SEM)	第19-20页
·霍尔测试	第20-21页
·透射-反射谱	第21-22页
·本文中使用的设备	第22-24页
3 CIO薄膜的制备与成分、形貌表征	第24-34页
·CIO薄膜的制备过程	第24-25页
·基片清洗	第24页
·薄膜沉积	第24-25页
·薄膜的生长机理	第25-27页
·金属薄膜的成膜理论	第25-27页
·薄膜的表面扩散、渗透理论	第27页
·薄膜厚度、氧化时间对CIO成分、形貌的影响	第27-31页
·薄膜氧化温度对CIO结构、成分、形貌的影响	第31-33页
·本章小结	第33-34页
4 CIO薄膜的电学性质	第34-38页
·薄膜导电的机理	第34-35页
·CIO薄膜的电学性质研究	第35-37页
·本章小结	第37-38页
5 CIO薄膜的光学性质	第38-42页
·薄膜光学常数及性能的测量	第38-39页
·氧化温度对CIO薄膜透光性质的影响	第39-40页
·CIO薄膜的反射光学性质	第40-41页
·本章小结	第41-42页
结论	第42-43页
参考文献	第43-48页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况	第48-49页
致谢	第49-50页