| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-37页 |
| ·概述 | 第11-16页 |
| ·半导体材料的发展历程 | 第11-13页 |
| ·宽带隙半导体材料 | 第13-16页 |
| ·碳化硅(SiC)材料 | 第13-15页 |
| ·氮化铝(AlN)材料 | 第15页 |
| ·金刚石 | 第15-16页 |
| ·氧化锌(ZnO)材料 | 第16-26页 |
| ·氧化锌的基本性质 | 第17-22页 |
| ·氧化锌的晶体结构 | 第17-18页 |
| ·氧化锌的本征缺陷 | 第18-19页 |
| ·氧化锌的光电性质 | 第19-20页 |
| ·氧化锌基稀磁半导体 | 第20-21页 |
| ·氧化锌的低维材料特性 | 第21-22页 |
| ·氧化锌薄膜的制备技术 | 第22-25页 |
| ·物理方法 | 第22-24页 |
| ·化学方法 | 第24-25页 |
| ·氧化锌薄膜的掺杂概况 | 第25-26页 |
| ·氧化锌薄膜的n型掺杂 | 第25-26页 |
| ·氧化锌薄膜的p型掺杂 | 第26页 |
| ·氮化镓(GaN)基LED材料与器件 | 第26-35页 |
| ·LED的发展历史 | 第27-30页 |
| ·LED使用的材料体系 | 第28-29页 |
| ·LED的发展历程 | 第29-30页 |
| ·Si衬底GaN基LED的发展 | 第30-32页 |
| ·垂直结构大功率GaN基LED | 第32-35页 |
| ·绑定技术 | 第33页 |
| ·电镀金属基板技术 | 第33-35页 |
| ·本论文研究的内容及行文安排 | 第35-37页 |
| 第2章 ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能表征方法 | 第37-48页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·溶胶-凝胶法的基本原理 | 第38-40页 |
| ·溶胶-凝胶法概述 | 第38页 |
| ·溶胶-凝胶过程的主要反应 | 第38-39页 |
| ·溶胶-凝胶法的特点 | 第39-40页 |
| ·溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜 | 第40-42页 |
| ·溶胶的合成 | 第40-42页 |
| ·薄膜的制备 | 第42页 |
| ·薄膜的分析与测试方法 | 第42-48页 |
| ·X射线衍射 | 第42-43页 |
| ·同步热分析 | 第43页 |
| ·NKD薄膜分析系统 | 第43-44页 |
| ·光致发光分析方法 | 第44-45页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第45页 |
| ·原子力显微镜 | 第45-46页 |
| ·四探针测电阻法 | 第46页 |
| ·台阶仪 | 第46-48页 |
| 第3章 溶胶-凝胶法制备工艺参数对ZnO薄膜性能的影响 | 第48-65页 |
| ·ZnO溶胶-凝胶的热分析(DSC-TGA) | 第48-50页 |
| ·衬底对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第50-51页 |
| ·陈化时间对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第51-53页 |
| ·热处理温度对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第53-55页 |
| ·厚度对ZnO薄膜结构及表面形貌的影响 | 第55-57页 |
| ·溶胶-凝胶法ZnO薄膜的生长与形态 | 第57-61页 |
| ·溶胶-凝胶法ZnO薄膜的生长 | 第57-58页 |
| ·ZnO薄膜的生长形态 | 第58-61页 |
| ·ZnO薄膜的成核生长 | 第59-60页 |
| ·ZnO薄膜的树枝晶生长和分形生长 | 第60-61页 |
| ·溶胶-凝胶法ZnO薄膜的光学性能 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第4章 溶胶-凝胶法制备稀土Y掺杂ZnO薄膜及其性能 | 第65-78页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·稀土Y掺杂ZnO薄膜的制备 | 第65-66页 |
| ·溶胶的配置 | 第65页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第65-66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-76页 |
| ·稀土Y掺杂ZnO溶胶的DSC-TGA分析 | 第66页 |
| ·预热处理温度对稀土Y掺杂ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第66-68页 |
| ·稀土Y掺杂浓度对ZnO薄膜晶体结构和光电性能的影响 | 第68-76页 |
| ·稀土Y掺杂ZnO薄膜的晶体结构 | 第68-69页 |
| ·稀土Y掺杂ZnO薄膜的透光性能 | 第69-71页 |
| ·稀土Y掺杂ZnO薄膜的发光性能 | 第71-75页 |
| ·稀土Y掺杂ZnO薄膜的导电性能 | 第75-76页 |
| ·小结 | 第76-78页 |
| 第5章 金属基板大功率GaN基LED的制备及性能 | 第78-110页 |
| ·引言 | 第78-79页 |
| ·硅衬底GaN基LED薄膜材料 | 第79-88页 |
| ·硅衬底GaN基LED薄膜材料的制备 | 第79页 |
| ·GaN基LED薄膜材料的结构表征 | 第79-88页 |
| ·物相分析 | 第80-81页 |
| ·晶格常数的测量 | 第81-84页 |
| ·镶嵌结构的测量 | 第84-88页 |
| ·电镀金属基板GaN基LED的制备 | 第88-90页 |
| ·电镀金属基板GaN/基LED芯片的性能 | 第90-100页 |
| ·电镀Cu/Cr基板的特性 | 第90-93页 |
| ·电镀Cu/Cr基板的厚度 | 第90-91页 |
| ·电镀Cr层的形貌 | 第91页 |
| ·电镀Cu/Cr基板的晶体结构 | 第91-93页 |
| ·电镀Cu/Cr基板的硬度 | 第93页 |
| ·电镀金属基板GaN/Si LED芯片的光电性能 | 第93-100页 |
| ·伏安特性(I-V)分析 | 第93页 |
| ·电镀金属基板GaN基LED芯片的点测结果 | 第93-95页 |
| ·光输出功率饱和特性(P-I)分析 | 第95-96页 |
| ·波长漂移特性(WLD-I) | 第96-99页 |
| ·外量子效率(EQE)随电流密度(J)的变化分析 | 第99-100页 |
| ·电镀金属基板GaN基LED薄膜应力应变分析 | 第100-108页 |
| ·实验样品 | 第101-103页 |
| ·高分辨X射线衍射分析 | 第103-105页 |
| ·光致发光(PL)谱分析 | 第105-106页 |
| ·Si衬底GaN基LED薄膜的应力释放 | 第106-108页 |
| ·小结 | 第108-110页 |
| 第6章 结论 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-128页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第128页 |
