| 基金资助 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| ·概述 | 第10-11页 |
| ·GaN的基本性质 | 第11-14页 |
| ·GaN的物理性质 | 第11-12页 |
| ·GaN的化学性质 | 第12-13页 |
| ·GaN的光学性质 | 第13页 |
| ·GaN的电学性质 | 第13-14页 |
| ·GaN的生长 | 第14-18页 |
| ·衬底材料的选择 | 第14-16页 |
| ·GaN的生长方法 | 第16-18页 |
| ·GaN的应用 | 第18-21页 |
| ·发光二极管(LED)方面的应用 | 第18页 |
| ·半导体激光器(LD)方面的应用 | 第18-19页 |
| ·电子器件方面的应用 | 第19-20页 |
| ·太阳能电池的应用 | 第20-21页 |
| ·本文研究的意义和研究内容 | 第21-22页 |
| 2 实验设备及表征方法 | 第22-33页 |
| ·实验设备 | 第22-26页 |
| ·ECR-PEMOCVD技术 | 第22-23页 |
| ·ESPD-U的结构及特征 | 第23-26页 |
| ·薄膜的表征 | 第26-33页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第26-28页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第28-30页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第30-31页 |
| ·光致发光(PL谱) | 第31-33页 |
| 3 沉积温度对GaN/FTO薄膜特性的影响 | 第33-39页 |
| ·不同沉积温度条件下的GaN薄膜的制备工艺与参数 | 第33-34页 |
| ·结果与分析 | 第34-38页 |
| ·RHEED分析 | 第34-35页 |
| ·XRD测试分析 | 第35-36页 |
| ·AFM表面形貌分析 | 第36-37页 |
| ·光学性能的分析(PL谱) | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 4 TMGa流量对GaN/FTO薄膜特性的影响 | 第39-45页 |
| ·不同TMGa流量条件下的GaN薄膜的制备工艺与参数 | 第39页 |
| ·结果与分析 | 第39-44页 |
| ·RHEED分析 | 第39-40页 |
| ·XRD测试分析 | 第40-41页 |
| ·AFM表面形貌分析 | 第41-43页 |
| ·光学性能的分析(PL谱) | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |