| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·ZnO的基本特性 | 第12-13页 |
| ·ZnO的研究进展 | 第13-14页 |
| ·ZnO的p型掺杂 | 第14-17页 |
| ·ZnO能带调节工程 | 第17页 |
| ·制备ZnO薄膜的衬底材料选择 | 第17-18页 |
| ·本论文的选题根据和工作内容 | 第18-19页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备和表征 | 第19-30页 |
| ·磁控溅射制备ZnO薄膜技术 | 第19-20页 |
| ·退火处理系统 | 第20-21页 |
| ·ZnO薄膜物性表征手段 | 第21-30页 |
| ·X射线衍射谱（XRD） | 第21-23页 |
| ·霍尔（Hall）效应测试 | 第23-26页 |
| ·微区光致发光谱（PL） | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）和X射线能量谱仪（EDS） | 第27-28页 |
| ·透射和吸收光谱 | 第28-30页 |
| 第三章 Ag-S共掺杂ZnO薄膜的制备和物性分析 | 第30-49页 |
| ·Ag-S共掺杂ZnO薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·样品靶材的设计和制备 | 第31页 |
| ·Ag-S共掺杂ZnO薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·Ag-S共掺杂ZnO薄膜电学性能随衬底温度的变化 | 第32-33页 |
| ·Ag-S共掺杂ZnO薄膜的结构和成分分析 | 第33-38页 |
| ·Ag-S共掺杂ZnO薄膜的电学性能分析 | 第38-42页 |
| ·退火温度对Ag-S共掺杂ZnO薄膜电学性能的影响 | 第38-39页 |
| ·Ag-S共掺杂ZnO薄膜样品的I-V曲线 | 第39-40页 |
| ·Ag-S共掺杂ZnO样品p型导电的稳定性和重复性研究 | 第40-42页 |
| ·Ag-S共掺杂ZnO薄膜的光致发光谱分析 | 第42-46页 |
| ·S对ZnO薄膜p型掺杂的影响 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第四章 Si衬底上p型ZnO薄膜的高迁移率问题研究 | 第49-55页 |
| ·影响Ag-S共掺p型ZnO薄膜高迁移率的物理因素 | 第49-51页 |
| ·p型Si衬底生长ZnO薄膜的导电类型对其迁移率的影响 | 第49-50页 |
| ·衬底对p型ZnO薄膜迁移率的影响 | 第50-51页 |
| ·p型Si衬底上生长的p型ZnO薄膜的高迁移率的物理起源 | 第51-54页 |
| ·半导体异质结界面二维电子气（空穴）的形成和输运行为 | 第51-53页 |
| ·Si衬底上Ag-S共掺p型ZnO薄膜的高迁移率的物理机制 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
