| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 目录 | 第11-14页 |
| 第1章 引言 | 第14-40页 |
| ·研究背景 | 第14-15页 |
| ·锗硅材料的性质及能带改造 | 第15-21页 |
| ·锗硅材料的性质 | 第15-18页 |
| ·低维量子结构对能带的改造 | 第18-21页 |
| ·外延生长理论 | 第21-26页 |
| ·外延生长模式 | 第22-24页 |
| ·临界尺寸和位错 | 第24-26页 |
| ·硅基自组装锗量子点研究进展 | 第26-35页 |
| ·实验工艺优化控制量子点形成 | 第27-28页 |
| ·提高量子点密度的尝试 | 第28-30页 |
| ·量子点有序性提高的方法 | 第30-33页 |
| ·发光特性研究 | 第33-35页 |
| ·锗硅红外探测器 | 第35-38页 |
| ·本论文研究内容及创新点 | 第38-40页 |
| 第2章 实验设备及测试方法研究 | 第40-59页 |
| ·分子束外延薄膜生长系统 | 第40-45页 |
| ·设备介绍 | 第40-43页 |
| ·硅片清洗 | 第43-44页 |
| ·实验流程 | 第44-45页 |
| ·实时监控技术(RHEED)的理论与实验研究 | 第45-52页 |
| ·衍射图案的判读 | 第46-50页 |
| ·生长过程监控 | 第50-52页 |
| ·测试手段 | 第52-58页 |
| ·腐蚀坑测试(Etch Pits Density,EPD) | 第52-53页 |
| ·扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy) | 第53-54页 |
| ·拉曼光谱(Raman Spectroscopy) | 第54-56页 |
| ·荧光光谱(Photoluminescence) | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第3章 二氧化硅上锗量子点的生长 | 第59-77页 |
| ·氧化层衬底的获得 | 第59-60页 |
| ·二氧化硅上直接生长锗量子点 | 第60-69页 |
| ·衬底温度对结构的影响 | 第62-65页 |
| ·淀积厚度对结构的影响 | 第65-66页 |
| ·氧化硅上锗量子点的微结构 | 第66-69页 |
| ·退火对于氧化硅上锗量子点形成的影响 | 第69-76页 |
| ·退火的去浸润过程 | 第70-72页 |
| ·退火温度的反常规律 | 第72-74页 |
| ·应力和发光特性研究 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第4章 锗量子点有序性的提高 | 第77-90页 |
| ·实验工艺介绍 | 第77-82页 |
| ·多孔氧化铝 | 第77-81页 |
| ·模板转移与生长过程 | 第81-82页 |
| ·结果与讨论 | 第82-89页 |
| ·模板的限制迁移作用 | 第82-84页 |
| ·模板复形效果 | 第84-86页 |
| ·有序锗量子点的获得 | 第86-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第5章 高质量锗膜和MSM器件研究 | 第90-106页 |
| ·高质量锗膜外延生长 | 第90-95页 |
| ·低温种子层(Low Temperature Seed layer) | 第91-93页 |
| ·循环退火研究(Cyclic Annealing) | 第93-95页 |
| ·Ge MSM探测器的制备与测试 | 第95-105页 |
| ·MSM探测器工作原理 | 第96-97页 |
| ·锗膜MSM器件制备工艺 | 第97-102页 |
| ·后期测试及分析 | 第102-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 第6章 总结与展望 | 第106-108页 |
| ·本论文内容总结 | 第106-107页 |
| ·工作展望 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-120页 |
| 作者简历 | 第120-121页 |
