| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 氧化镓概述 | 第10-27页 |
| ·氧化镓的基本性质 | 第10-11页 |
| ·Ga_2O_3的基本结构 | 第10-11页 |
| ·Ga_2O_3的电学和电学性质 | 第11页 |
| ·氧化镓薄膜的应用 | 第11-14页 |
| ·气敏传感器 | 第11-12页 |
| ·薄膜电致发光(TFEL)显示器件 | 第12-13页 |
| ·紫外探测器 | 第13-14页 |
| ·深紫外透明导电薄膜 | 第14页 |
| ·氧化镓薄膜掺杂的研究进展 | 第14-27页 |
| ·Si掺杂 | 第14-18页 |
| ·Sn掺杂 | 第18-21页 |
| ·Mn掺杂 | 第21-24页 |
| ·Cu掺杂 | 第24-27页 |
| 2 氧化镓薄膜的制备技术 | 第27-33页 |
| ·溶胶—凝胶法(sol-gel) | 第27-28页 |
| ·电子束蒸发(electron evaporation technical) | 第28-29页 |
| ·脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition) | 第29页 |
| ·磁控溅射(Magnetron Sputtering) | 第29-31页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(Metal-organic chemical Vapor Deposition) | 第31-33页 |
| 3 C-Al_2O_3 衬底上制备Cu掺杂β-Ga_2O_3 薄膜以及退火气氛的影响 | 第33-37页 |
| ·C-Al_2O_3衬底上制备Cu掺杂的β-Ga_2O_3薄膜 | 第33页 |
| ·β-Ga_2O_3：Cu薄膜的晶体特性和光学特性的分析 | 第33-36页 |
| ·晶体特性的表征和分析 | 第33-34页 |
| ·光学特性的表征和分析 | 第34-36页 |
| ·未退火β-Ga_2O_3：Cu薄膜的AFM图谱 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 4 C-Al_2O_3衬底上制备Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜以及退火条件对薄膜的影响 | 第37-44页 |
| ·样品的制备 | 第37页 |
| ·退火温度对Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜的影响 | 第37-41页 |
| ·晶体特性的表征和分析 | 第37-38页 |
| ·光学特性的表征和分析 | 第38-41页 |
| ·退火时间对Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜的影响 | 第41-43页 |
| ·晶体特性的表征和分析 | 第41-42页 |
| ·光学特性的表征和分析 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
