铬掺杂氮化物半导体外延和磁性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的基本性质 | 第14-20页 |
| ·晶体结构和极性 | 第14-15页 |
| ·极化和压电效应 | 第15-16页 |
| ·热学性质和稳定性 | 第16-18页 |
| ·电学和光学性质 | 第18-20页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的外延生长 | 第20-27页 |
| ·异质外延技术 | 第20-23页 |
| ·衬底材料的选择 | 第23-25页 |
| ·异质外延层的缺陷 | 第25-26页 |
| ·原位掺杂 | 第26-27页 |
| ·Ⅲ族氮化物自旋电子学器件 | 第27-31页 |
| ·自旋电子学及自旋电子学器件简介 | 第27-28页 |
| ·自旋极化的产生与探测 | 第28页 |
| ·自旋相互作用 | 第28-30页 |
| ·稀磁半导体的历史与现状 | 第30-31页 |
| ·本论文的选题依据和工作安排 | 第31-34页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物分子束外延生长与表征 | 第34-58页 |
| ·分子束外延生长Ⅲ族氮化物 | 第34-40页 |
| ·分子束外延系统的基本结构 | 第34-35页 |
| ·超高真空与分子束外延 | 第35-38页 |
| ·分子束外延生长机理 | 第38-40页 |
| ·Ⅲ族氮化物的表征 | 第40-58页 |
| ·薄膜厚度与元素含量测试 | 第40-44页 |
| ·晶体结构与表面形态表征 | 第44-54页 |
| ·光学特性表征 | 第54-56页 |
| ·电学特性表征 | 第56-57页 |
| ·磁学性质测量 | 第57-58页 |
| 第三章 铬掺杂Ⅲ族氮化物半导体外延与物性研究 | 第58-74页 |
| ·引言 | 第58-60页 |
| ·分子束原位掺杂Cr外延GaN基稀磁半导体 | 第60-68页 |
| ·样品的实时原位监测生长 | 第60-62页 |
| ·晶体结构和质量分析 | 第62-63页 |
| ·元素成分与化学价态分析 | 第63-64页 |
| ·半导体光致发光与吸收光谱分析 | 第64-65页 |
| ·磁学性质研究 | 第65-68页 |
| ·分子束原位掺杂Cr外延立方AlN基稀磁半导体 | 第68-72页 |
| ·样品的外延生长 | 第68页 |
| ·元素成分与化学价态分析 | 第68-69页 |
| ·晶体结构和质量分析 | 第69-70页 |
| ·样品表面形貌表征 | 第70-71页 |
| ·磁性测量与讨论 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第四章 非晶态CrN室温铁磁性与跳跃电导研究 | 第74-82页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·非晶CrN样品的制备与表征 | 第75-77页 |
| ·样品的制备 | 第75页 |
| ·样品中元素含量和化学态 | 第75-76页 |
| ·样品微结构与表面形貌表征 | 第76-77页 |
| ·非晶CrN的磁性测量与讨论 | 第77-78页 |
| ·非晶CrN的跳跃电导研究 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 全文总结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-100页 |
| 攻读博士学位期间发表及待发表文章 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
