杂质对直拉硅单晶力学性能的影响

摘要	第1-7页
Abstract	第7-13页
第一章 绪论	第13-47页
·前言	第13-14页
·单晶硅的基本力学性质	第14-21页
·单晶硅的晶体结构	第14页
·单晶硅的弹性模量	第14-15页
·单晶硅的断裂强度和断裂韧性	第15-16页
·单晶硅的接触损伤和压痕断裂韧性	第16-18页
·单晶硅的塑性	第18页
·单晶硅的硬度	第18-20页
·杂质对单晶硅基本力学性质的影响	第20-21页
·单晶硅中的位错运动	第21-28页
·单晶硅中的位错运动机制	第21-22页
·应力对位错运动的影响	第22-23页
·温度对位错运动速率的影响	第23-24页
·压痕残余应力作用下的位错运动	第24-25页
·杂质对位错运动的影响	第25-28页
·单晶硅中杂质原子对位错的钉扎作用	第28-37页
·直拉硅单晶中氧对位错的钉扎作用	第28-35页
·直拉硅单晶中其他杂质原子对位错的钉扎作用	第35-37页
·单晶硅力学性能的纳米压痕研究	第37-45页
·纳米压入技术	第37页
·纳米压入技术测试材料的硬度和模量	第37-41页
·纳米压痕研究单晶硅的力学性能	第41-45页
·杂质对单晶硅纳米压痕力学行为的影响	第45页
·本文的研究方向	第45-47页
第二章 实验样品和研究方法	第47-58页
·实验样品和样品制备	第47-49页
·实验样品	第47-48页
·样品制备	第48-49页
·样品解理和切割	第48页
·样品清洗	第48页
·样品抛光	第48-49页
·主要实验设备	第49-58页
·显微维氏硬度机	第49页
·热处理炉	第49-50页
·扫描红外显微镜	第50-51页
·纳米压痕测试系统	第51-53页
·高温弯曲实验	第53-56页
·显微激光拉曼光谱	第56-58页
第三章 锗掺杂对直拉硅单晶力学性能的影响	第58-75页
·引言	第58-59页
·实验	第59-62页
·实验样品	第59页
·纳米压痕实验及拉曼光谱测试	第59-61页
·压痕断裂韧性测试	第61页
·高温三点弯曲实验	第61-62页
·实验结果与讨论	第62-74页
·掺锗对直拉硅单晶纳米压痕力学行为的影响	第62-68页
·掺锗对单晶硅压痕断裂韧性的影响	第68-69页
·掺锗对单晶硅中位错运动的影响	第69-74页
·本章小结	第74-75页
第四章 重掺磷、重掺砷对直拉硅单晶力学性能的影响	第75-92页
·引言	第75-76页
·实验	第76-78页
·实验样品	第76页
·纳米压痕实验	第76-77页
·压痕断裂韧性测试	第77页
·高温三点弯曲实验	第77页
·压痕诱生位错滑移实验	第77-78页
·实验结果与讨论	第78-90页
·重掺磷对单晶硅纳米压痕力学行为的影响	第78-82页
·重掺磷对单晶硅压痕断裂韧性的影响	第82-84页
·重掺磷、重掺砷对单晶硅中位错运动的影响	第84-90页
·本章小结	第90-92页
第五章 杂质对氧钉扎位错的的影响	第92-111页
·引言	第92-94页
·实验	第94-96页
·实验样品	第94-95页
·位错钉扎实验	第95-96页
·实验结果与讨论	第96-110页
·氧对位错的钉扎作用及杂质的影响	第96-99页
·数值模拟方法	第99-100页
·掺杂对氧的有效扩散系数的影响	第100-105页
·掺杂对氧的扩散机制的影响	第105-106页
·掺杂影响氧扩散的机理	第106-109页
·重掺P对氧扩散的影响	第109-110页
·本章小结	第110-111页
第六章 氧沉淀对直拉硅单晶力学性能的影响	第111-130页
·引言	第111-112页
·实验	第112-114页
·实验样品	第112页
·压痕诱生滑移位错实验	第112-113页
·纳米压痕实验	第113页
·压痕断裂韧性实验	第113-114页
·实验结果与讨论	第114-128页
·氧沉淀对压痕诱生位错滑移的影响	第114-119页
·氧沉淀对单晶硅的强化作用	第119-125页
·氧沉淀对单晶硅纳米压痕力学行为的影响	第125-128页
·氧沉淀对单晶硅压痕断裂韧性的影响	第128页
·本章小结	第128-130页
第七章 总结	第130-133页
·结论	第130-131页
·展望	第131-133页
参考文献	第133-147页
致谢	第147-149页
作者简介	第149页
攻读博士学位期间发表论文	第149-150页