| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| §1.1 高压物理学概述 | 第11-15页 |
| §1.1.1 高压技术发展史 | 第11-12页 |
| §1.1.2 高压装置 | 第12-15页 |
| §1.2 高压电学研究的意义 | 第15-16页 |
| §1.3 InSe 材料属性概述 | 第16-24页 |
| §1.3.1 半导体材料简介 | 第16-18页 |
| §1.3.2 Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体简介 | 第18-21页 |
| §1.3.3 InSe 的结构和性质 | 第21-22页 |
| §1.3.4 InSe 高压下研究背景 | 第22-24页 |
| §1.4 论文选题的目的和意义 | 第24页 |
| §1.5 本论文各部分的主要内容 | 第24-25页 |
| 第2章 高压下 InSe 金属化相变机制的研究 | 第25-42页 |
| §2.1 高压下 InSe 原位电阻率研究背景 | 第25页 |
| §2.2 微电路的集成 | 第25-31页 |
| §2.3 测量方法 | 第31-36页 |
| §2.3.1 高压下 InSe 的直流电阻率测量 | 第32-33页 |
| §2.3.2 实验中与 InSe 接触的四个电极测试 | 第33-36页 |
| §2.4 InSe 金属化相变研究 | 第36-40页 |
| §2.4.1 高压下 InSe 原位电阻率测量 | 第36-37页 |
| §2.4.2 压力诱导下 InSe 的金属化相变 | 第37-40页 |
| §2.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第3章 高压下 InSe 霍尔效应测量和能带结构 | 第42-52页 |
| §3.1 高压下 InSe 霍尔效应研究背景 | 第42-43页 |
| §3.2 DAC 上原位高压霍尔效应测量方法和原理 | 第43-44页 |
| §3.2.1 原位高压霍尔效应测量方法 | 第43页 |
| §3.2.2 霍尔效应测量基本原理 | 第43-44页 |
| §3.3 高压下 InSe 原位霍尔效应测量 | 第44-46页 |
| §3.4 高压下 InSe 的能带结构 | 第46-50页 |
| §3.4.1 电子结构模拟方法 | 第46-47页 |
| §3.4.2 高压下 InSe 的能带结构模拟 | 第47-50页 |
| §3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第4章 总结与展望 | 第52-54页 |
| §4.1 总结 | 第52-53页 |
| §4.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 作者简介 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |