| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-37页 |
| ·固态照明 | 第10-14页 |
| ·GaN基材料的特性 | 第14-20页 |
| ·CaN基材料的极化效应 | 第20-29页 |
| ·GaN基LED的技术指标和挑战 | 第29-32页 |
| ·GaN基材料的生长历程 | 第32-34页 |
| ·非极性面GaN基LED | 第34-35页 |
| ·本论文的选题依据、内容及结构安排 | 第35-37页 |
| 2 MOCVD生长方法简介及GaN基材料的表征方法 | 第37-58页 |
| ·金属有机化学气相沉积方法简介 | 第37-40页 |
| ·极性c面GaN的典型生长过程 | 第40-44页 |
| ·α面GaN薄膜中缺陷的性质和减少缺陷的方法 | 第44-50页 |
| ·GaN基材料的表征方法 | 第50-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 3 AIN成核层的生长温度对a面GaN薄膜的影响 | 第58-66页 |
| ·不同A1N成核层生长温度的a面GaN薄膜的生长 | 第58-59页 |
| ·α面GaN薄膜的表征结果及分析 | 第59-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 4 r面蓝宝石衬底的氮化和成核层研究 | 第66-88页 |
| ·衬底氮化和低温AlN成核层对a面GaN薄膜的影响 | 第67-78页 |
| ·衬底氮化和高温AlN成核层对a面GaN薄膜的影响 | 第78-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 5 图形化r面蓝宝石衬底上生长a面GaN材料及其特性表征 | 第88-102页 |
| ·a面GaN材料的MOCVD生长及测试 | 第89-91页 |
| ·a而GaN薄膜的特性表征 | 第91-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 6 全文总结与展望 | 第102-104页 |
| ·本论文工作总结 | 第102-103页 |
| ·工作展望 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-114页 |
| 附录I 攻读博士学位期间发表及待发表论文目录 | 第114页 |
