| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪言 | 第8-16页 |
| ·氧化钒(VO_x)材料研究背景介绍 | 第8-9页 |
| ·VO_x材料研究概况 | 第9-11页 |
| ·VO_x薄膜的应用 | 第11-14页 |
| ·VO_x薄膜在红外探测技术方面的应用 | 第11-12页 |
| ·VO_2薄膜在光开关方面的应用 | 第12-13页 |
| ·基于VO_x薄膜相变特性的太赫兹波振幅调制 | 第13-14页 |
| ·本课题研究的内容和意义 | 第14-16页 |
| 第二章 VO_x结构、特性、制备与表征手段 | 第16-28页 |
| ·钒的氧化物 | 第16-19页 |
| ·VO_2的晶体结构与相变特性 | 第16-18页 |
| ·V_2O_5的晶体结构与性质 | 第18-19页 |
| ·V_2O_3的晶体结构与性质 | 第19页 |
| ·VO_x薄膜的制备方法 | 第19-23页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第20页 |
| ·溅射镀膜法(Sputtering) | 第20-22页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第22页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第22-23页 |
| ·VO_x薄膜的测试手段与表征方法 | 第23-28页 |
| ·VO_x薄膜的四探针测试 | 第23-25页 |
| ·VO_x薄膜的THz-TDS光学测试 | 第25页 |
| ·VO_x薄膜的形貌分析 | 第25-26页 |
| ·VO_x薄膜的结晶状况分析 | 第26-27页 |
| ·VO_x薄膜的成分分析 | 第27-28页 |
| 第三章 磁控溅射结合快速热处理制备相变特性VO_x薄膜的工艺研究 | 第28-34页 |
| ·VO_x薄膜制备设备描述 | 第28-29页 |
| ·相变特性VO_x薄膜制备工艺研究 | 第29-34页 |
| ·课题研究基础介绍 | 第29页 |
| ·实验步骤 | 第29-34页 |
| 第四章 实验数据分析与讨论 | 第34-67页 |
| ·SiO_2/Si衬底上VO_x薄膜相变性能的研究 | 第34-50页 |
| ·SiO_2/Si衬底上VO_x薄膜的电学特性研究 | 第34-37页 |
| ·VO_x薄膜的电学相变特性 | 第37-40页 |
| ·SiO_2/Si衬底上相变VO_x薄膜成分分析 | 第40-44页 |
| ·SiO_2/Si衬底上相变VO_x薄膜结晶状况分析 | 第44-46页 |
| ·SiO_2/Si衬底上相变VO_x薄膜形貌分析 | 第46-47页 |
| ·SiO_2/Si衬底上相变VO_x薄膜的THz光学透射特性 | 第47-50页 |
| ·Si衬底上VO_x薄膜的制备 | 第50-58页 |
| ·Si衬底上VO_x薄膜的电学特性研究 | 第51-52页 |
| ·Si衬底上VO_x薄膜的相变特性 | 第52-54页 |
| ·Si衬底上相变VO_x薄膜结晶特性与组分分析 | 第54-57页 |
| ·Si衬底上VO_x薄膜的光学相变分析 | 第57-58页 |
| ·快速热处理温度对VO_x薄膜相变特性的影响 | 第58-64页 |
| ·VO_x薄膜的光致相变特性 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 实验总结与工作展望 | 第67-70页 |
| ·实验总结 | 第67-68页 |
| ·工作展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
