硅衬底上GaN外延层和AlGaN/GaN异质结的MOCVD生长研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
1 绪论	第10-23页
·氮化镓基材料特性简介	第10-16页
·研究背景及意义	第16-21页
·本文内容简述	第21-23页
2 外延生长设备和材料表征仪器的介绍	第23-46页
·外延生长技术简介	第23-29页
·实验中使用的MOCVD系统	第29-39页
·材料表征设备	第39-46页
3 氮化镓基材料的MOCVD生长基础	第46-57页
·MOCVD生长的基本理论描述	第46-51页
·氮化镓基材料的MOCVD生长特性	第51-56页
·本章小结	第56-57页
4 硅衬底上生长氮化镓的前期工作	第57-69页
·硅衬底表面的处理	第57-59页
·氮化铝缓冲层的设计和优化	第59-68页
·本章小结	第68-69页
5 硅衬底上高质量氮化镓的生长	第69-98页
·低温氮化铝插入层的设计	第69-81页
·组分连续渐变插入层的设计	第81-93页
·超晶格等复合应变缓冲层的设计	第93-97页
·本章小结	第97-98页
6 硅衬底上AlGaN/GaN异质结的生长与表征	第98-106页
·硅衬底上AlGaN/GaN异质结的生长	第98-100页
·表征与分析	第100-105页
·本章小结	第105-106页
7 总结与展望	第106-108页
致谢	第108-109页
参考文献	第109-121页
博士学位期间发表的论文	第121页