| 摘要 | 第1-17页 |
| ABSTRACT | 第17-24页 |
| 符号表 | 第24-26页 |
| 第一章 绪论 | 第26-43页 |
| §1.1 概述 | 第26页 |
| §1.2 In_2O_3材料的性质及应用 | 第26-27页 |
| §1.3 Ga_2O_3材料的性质及应用 | 第27-29页 |
| §1.4 Ga-In-O材料的性质及应用 | 第29页 |
| §1.5 SnO_2材料的性质及应用 | 第29-31页 |
| §1.6 Ga-In-O和SnO_2薄膜的研究现状 | 第31-34页 |
| §1.7 研究课题的选取 | 第34-37页 |
| 本章参考文献 | 第37-43页 |
| 第二章 实验设备及测试方法介绍 | 第43-69页 |
| §2.1 薄膜外延技术 | 第43-48页 |
| ·外延生长介绍 | 第43页 |
| ·液相外延技术 | 第43-44页 |
| ·气相外延技术 | 第44-45页 |
| ·分子束外延技术 | 第45-46页 |
| ·化学束外延技术 | 第46-47页 |
| ·原子层外延技术 | 第47-48页 |
| §2.2 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第48-58页 |
| ·MOCVD的发展和技术特点 | 第48-49页 |
| ·MOCVD系统的架构 | 第49-53页 |
| ·本论文使用的MOCVD系统介绍 | 第53-57页 |
| ·本论文实验工艺流程简述 | 第57-58页 |
| §2.3 本论文涉及的测试分析方法 | 第58-67页 |
| ·薄膜样品的成分分析方法 | 第58-60页 |
| ·薄膜样品的结构分析方法 | 第60-64页 |
| ·薄膜样品电学性质的测量 | 第64-65页 |
| ·薄膜样品光学性质的测量 | 第65-67页 |
| 本章参考文献 | 第67-69页 |
| 第三章 In_2O_3薄膜的制备与性质研究 | 第69-91页 |
| §3.1 三种衬底上In_2O_3薄膜的制备与基本结构 | 第69-72页 |
| ·三种衬底上In_2O_3薄膜的制备 | 第69-70页 |
| ·三种衬底上In_2O_3薄膜的基本结构 | 第70-72页 |
| §3.2 三种衬底上生长In_2O_3薄膜的外延机理分析 | 第72-81页 |
| ·MgO(100)上生长In_2O_3薄膜的外延机理分析 | 第72-75页 |
| ·α-Al_2O_3(0001)上生长In_2O_3薄膜的外延机理分析 | 第75-78页 |
| ·YSZ(100)上生长In_2O_3薄膜的外延机理分析 | 第78-81页 |
| §3.3 YSZ上不同衬底温度下生长In_2O_3薄膜的性质研究 | 第81-90页 |
| ·YSZ上不同衬底温度下In_2O_3薄膜的制备 | 第81-82页 |
| ·衬底温度对In_2O_3薄膜生长速率的影响 | 第82-84页 |
| ·衬底温度对In_2O_3薄膜结构性质的影响 | 第84-88页 |
| ·衬底温度对In_2O_3薄膜电学性质的影响 | 第88页 |
| ·衬底温度对In_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第88-90页 |
| 本章参考文献 | 第90-91页 |
| 第四章 Ga_2O_3薄膜的制备与性质研究 | 第91-104页 |
| §4.1 三种衬底上Ga_2O_3薄膜的制备与基本结构 | 第91-94页 |
| ·三种衬底上Ga_2O_3薄膜的制备 | 第91-92页 |
| ·三种衬底上Ga_2O_3薄膜的基本结构 | 第92-94页 |
| §4.2 衬底温度对MgO上Ga_2O_3薄膜结构性质的影响 | 第94-97页 |
| §4.3 MgO(100)上生长β-Ga_2O_3薄膜的外延机理分析 | 第97-101页 |
| §4.4 衬底温度对MgO上Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第101-103页 |
| 本章参考文献 | 第103-104页 |
| 第五章 Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的制备与性质研究 | 第104-128页 |
| §5.1 550℃衬底温度下YSZ上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的制备与研究 | 第104-111页 |
| ·550℃下YSZ上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的制备 | 第104-106页 |
| ·550℃下YSZ上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的结构特性 | 第106-108页 |
| ·550℃下YSZ上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的电学特性 | 第108-109页 |
| ·550℃下YSZ上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的光学特性 | 第109-111页 |
| §5.2 650℃衬底温度下YSZ上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的制备与研究 | 第111-118页 |
| ·650℃下YSZ上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的制备 | 第111-113页 |
| ·650℃下YSZ上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的结构特性 | 第113-115页 |
| ·650℃下YSZ上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的电学特性 | 第115-116页 |
| ·650℃下YSZ上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的光学特性 | 第116-118页 |
| §5.3 650℃衬底温度下MgO上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的制备与研究 | 第118-127页 |
| ·650℃下MgO上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的制备 | 第118-120页 |
| ·650℃下MgO上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的结构特性 | 第120-123页 |
| ·650℃下MgO上Ga_(1.8)In_(0.2)O_3薄膜的微结构分析 | 第123-126页 |
| ·650℃下MgO上Ga_(2x)In_(2(1-x))O_3薄膜的光学特性 | 第126-127页 |
| 本章参考文献 | 第127-128页 |
| 第六章 YSZ衬底SnO_2薄膜的制备与性质研究 | 第128-155页 |
| §6.1 YSZ(100)衬底上SnO_2薄膜的制备与性质研究 | 第128-141页 |
| ·YSZ(100)衬底上SnO_2薄膜的制备 | 第128-129页 |
| ·YSZ(100)衬底上制备SnO_2薄膜的结构及外延机理 | 第129-135页 |
| ·衬底温度对YSZ(100)上SnO_2薄膜生长速率的影响 | 第135-137页 |
| ·衬底温度对YSZ(100)上SnO_2薄膜结构性质的影响 | 第137-139页 |
| ·衬底温度对YSZ(100)上SnO_2薄膜电学性质的影响 | 第139-140页 |
| ·衬底温度对YSZ(100)上SnO_2薄膜光学性质的影响 | 第140-141页 |
| §6.2 YSZ(110)衬底上SnO_2薄膜的制备与性质研究 | 第141-145页 |
| ·YSZ(110)衬底上SnO_2薄膜的制备 | 第141-142页 |
| ·衬底温度对YSZ(110)上SnO_2薄膜结构性质的影响 | 第142-143页 |
| ·衬底温度对YSZ(110)上SnO_2薄膜电学性质的影响 | 第143-144页 |
| ·衬底温度对YSZ(110)上SnO_2薄膜光学性质的影响 | 第144-145页 |
| §6.3 YSZ(120)衬底上SnO_2薄膜的制备与性质研究 | 第145-154页 |
| ·YSZ(120)衬底上SnO_2薄膜的制备 | 第145-146页 |
| ·衬底温度对YSZ(120)上SnO_2薄膜结构性质的影响 | 第146-147页 |
| ·YSZ(120)衬底上生长SnO_2薄膜的外延机理分析 | 第147-151页 |
| ·衬底温度对YSZ(120)上SnO_2薄膜电学性质的影响 | 第151-153页 |
| ·衬底温度对YSZ(120)上SnO_2薄膜光学性质的影响 | 第153-154页 |
| 本章参考文献 | 第154-155页 |
| 第七章 结论 | 第155-160页 |
| §7.1 氧化铟薄膜的制备与性质研究 | 第155-156页 |
| §7.2 氧化镓薄膜的制备与性质研究 | 第156页 |
| §7.3 镓铟氧化物薄膜的制备与性质研究 | 第156-158页 |
| §7.4 氧化锡薄膜的制备与性质研究 | 第158-160页 |
| 博士期间发表学术论文目录 | 第160-163页 |
| 博士期间科研成果申请发明专利 | 第163-164页 |
| 致谢 | 第164-165页 |
| Paper 1 | 第165-177页 |
| Paper 2 | 第177-187页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第187页 |
