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基于阳极氧化法的多孔氧化钨气敏薄膜的制备与研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第一章 绪论第9-18页
   ·课题背景及意义第9-10页
   ·气敏传感器第10-13页
     ·气敏传感器的定义第10页
     ·气敏传感器的分类第10-11页
     ·气敏传感器的主要特性参数第11-13页
   ·氧化钨薄膜气敏传感器的研究进展第13-16页
   ·本论文的研究目标和内容第16-18页
第二章 实验过程相关理论第18-27页
   ·WO_3的基本性质及气敏机理第18-22页
     ·WO_3的晶体结构第18-19页
     ·电阻型WO_3薄膜气敏传感器的气敏机理第19-21页
     ·比表面值与晶粒尺寸对WO_3气敏性能的影响第21-22页
   ·WO_3薄膜制备工艺第22-23页
   ·磁控溅射的成膜机理第23-25页
   ·薄膜的晶体结构及微观形貌表征技术第25-27页
     ·X射线衍射(XRD)分析技术第25页
     ·场发射扫描电子显微镜(FESEM)技术第25-27页
第三章 多孔氧化钨薄膜气敏传感器的制备与性能测试第27-34页
   ·实验流程概述第27-28页
   ·多孔氧化钨薄膜气敏传感器的制备流程第28-32页
     ·基片清洗第28页
     ·叉指电极的制备第28-29页
     ·金属钨/WO_3薄膜的沉积工艺第29-31页
     ·快速热处理第31页
     ·阳极氧化工艺第31-32页
     ·热处理工艺第32页
   ·薄膜微观结构表征第32页
   ·气敏性能测试第32-33页
   ·选择性及稳定性测试第33-34页
第四章 多孔氧化钨薄膜气敏传感器性能初探第34-56页
   ·本章内容概述第34-35页
   ·多孔氧化钨样品条件及相关实验设定第35页
   ·多孔氧化钨薄膜微观形貌分析第35-38页
     ·阳极氧化电压对薄膜表面形貌的影响第36-37页
     ·阳极氧化时间对薄膜表面形貌的影响第37-38页
   ·多孔氧化钨气敏传感器NO_2敏感特性研究第38-43页
     ·阳极氧化电压对薄膜NO_2敏感性能的影响第38-41页
     ·阳极氧化时间对薄膜NO_2敏感性能的影响第41-43页
   ·对照组参数设定第43-44页
   ·两种薄膜的微观结构对比第44-47页
     ·微观形貌对比第44-46页
     ·晶体结构对比第46-47页
   ·两种薄膜的NO_2敏感性能对比第47-53页
     ·作温度对两种薄膜NO_2敏感性能的影响第47-50页
     ·最佳工作温度下两种薄膜的NO_2敏感性能研究第50-52页
     ·气敏机理探讨第52-53页
   ·多孔氧化钨薄膜的气体选择性研究第53-55页
   ·本章小结第55-56页
第五章 快速热处理改良多孔氧化钨薄膜气敏性能研究第56-67页
   ·样品条件及制备流程设定第56-58页
   ·薄膜微观结构表征第58-60页
     ·晶体结构分析(XRD)第58-59页
     ·微观形貌分析(SEM)第59-60页
   ·样品NO_2敏感性能研究第60-64页
     ·作温度对样品NO_2敏感性能的影响第60-62页
     ·最佳工作温度下样品的NO_2敏感性能研究第62-64页
   ·样品气敏性能稳定性研究第64-66页
   ·本章小结第66-67页
第六章 总结与展望第67-69页
   ·总结与讨论第67-68页
   ·工作展望第68-69页
参考文献第69-73页
发表论文和参加科研情况说明第73-74页
致谢第74页

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