| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-26页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·ZNO 薄膜的晶体结构 | 第9页 |
| ·ZNO 薄膜的光学特性 | 第9-11页 |
| ·ZNO 薄膜的电学特性和缺陷 | 第11-13页 |
| ·ZnO 薄膜的电学特性 | 第11-12页 |
| ·ZnO 薄膜的缺陷 | 第12-13页 |
| ·ZNO 薄膜制备技术简介 | 第13-18页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第13-14页 |
| ·溅射镀膜 | 第14-15页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第15-17页 |
| ·溶胶凝胶（Sol-gel） | 第17页 |
| ·喷雾热解（Spray pyrolysis） | 第17页 |
| ·激光脉冲沉积(PLD)法 | 第17-18页 |
| ·ZNO 薄膜的掺杂 | 第18-23页 |
| ·ZnO 的p 型掺杂 | 第18-23页 |
| ·ZNO 薄膜的应用 | 第23-24页 |
| ·ZnO 在压敏和气敏器件方面的应用 | 第23页 |
| ·光电器件方面的应用 | 第23-24页 |
| ·本文的立题依据、研究内容及创新点 | 第24-26页 |
| ·立题依据 | 第24页 |
| ·研究内容 | 第24-25页 |
| ·本文的创新点 | 第25-26页 |
| 2 射频磁控溅射的基本原理与薄膜的制备过程 | 第26-36页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理 | 第26-33页 |
| ·直流辉光放电 | 第26-28页 |
| ·射频辉光放电 | 第28-30页 |
| ·磁控放电 | 第30-33页 |
| ·薄膜制备过程 | 第33-36页 |
| ·射频磁控溅射设备 | 第33-34页 |
| ·薄膜的制备 | 第34-35页 |
| ·样品的制备参数 | 第35-36页 |
| 3 离子注入与退火 | 第36-43页 |
| ·离子注入的原理 | 第36-37页 |
| ·N 离子注入ZNO 薄膜的相关原理与理论分析 | 第37-41页 |
| ·N 离子注入在ZnO 薄膜中的射程分布 | 第38-41页 |
| ·样品切割 | 第41页 |
| ·退火(热处理) | 第41-43页 |
| 4 玻璃衬底ZNO 薄膜的光学特性 | 第43-50页 |
| ·直接跃迁吸收边 | 第44-46页 |
| ·光投射率与吸收系数的关系 | 第46-50页 |
| 5 氮掺杂P 型ZNO 薄膜的晶体结构与电学特性 | 第50-59页 |
| ·SI(100)衬底ZNO 薄膜的结构特性与电学特性 | 第50-55页 |
| ·结构特性 | 第50-52页 |
| ·ZnO 薄膜的电学特性 | 第52-55页 |
| ·SI(111)衬底ZNO 薄膜的晶体结构与电学特性 | 第55-58页 |
| ·Si(111)衬底ZnO 薄膜的晶体结构分析 | 第55-57页 |
| ·Si(111)衬底N 掺杂ZnO 薄膜的电学特性 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 6 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附：作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录、科研情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
