| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| §1.1 发展情况及研究现状 | 第8-16页 |
| §1.2 本论文的理论意义和实际应用意义 | 第16-18页 |
| 第二章 应变SiGe层中本征载流子浓度的计算 | 第18-25页 |
| §2.1 引言 | 第18页 |
| §2.2 物理模型 | 第18-21页 |
| §2.3 计算结果及讨论 | 第21-24页 |
| §2.4 结论 | 第24-25页 |
| 第三章 p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x层中少子常温和低温行为 | 第25-32页 |
| §3.1 引言 | 第25页 |
| §3.2 物理模型 | 第25-29页 |
| §3.3 计算结果及讨论 | 第29-30页 |
| §3.4 结论 | 第30-32页 |
| 第四章 应变Si_(1-x)Ge_x层中p型杂质电离常温和低温特性 | 第32-37页 |
| §4.1 引言 | 第32页 |
| §4.2 物理模型 | 第32-35页 |
| §4.3 计算结果及讨论 | 第35页 |
| §4.4 结论 | 第35-37页 |
| 第五章 p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x基区HBT内建电场的物理机制 | 第37-47页 |
| §5.1 引言 | 第37页 |
| §5.2 物理模型 | 第37-41页 |
| §5.3 计算结果及讨论 | 第41-46页 |
| §5.4 结论 | 第46-47页 |
| 第六章 结论与展望 | 第47-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 附录:发表及已接收待发表的论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
