半导体材料和器件的微结构与微区应力的EBSD研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·EBSD 技术概述 | 第10-16页 |
| ·EBSD 发展概况. | 第10-11页 |
| ·EBSD 测试原理 | 第11-16页 |
| ·EBSD 在半导体材料与器件中的应用 | 第16-18页 |
| ·VLSI 和ULSI 金属化系统 | 第16-17页 |
| ·半导体材料和光电子器件 | 第17-18页 |
| ·本课题研究内容（课题来源） | 第18-20页 |
| 第2章 EBSD 花样采集系统及测量参数分析 | 第20-36页 |
| ·SEM－EBSD 分析系统 | 第20-21页 |
| ·扫描电镜（SEM） | 第20页 |
| ·电子背散射衍射仪（EBSD） | 第20-21页 |
| ·EBSD 菊池花样中的应力敏感参数 | 第21-26页 |
| ·应力/应变菊池花样的特征 | 第21-22页 |
| ·图像质量（IQ）和Hough 变换 | 第22-24页 |
| ·可信度（CI） | 第24-25页 |
| ·匹配度（Fit） | 第25页 |
| ·晶格转动及错配 | 第25-26页 |
| ·EBSD 花样采集系统参数的优化 | 第26-30页 |
| ·加速电压（HV） | 第26-27页 |
| ·工作距离（WD） | 第27-28页 |
| ·探测距离（DD） | 第28-29页 |
| ·菊池花样收集参数 | 第29-30页 |
| ·EBSD 测量精度及分辨率 | 第30-33页 |
| ·信息深度 | 第30-32页 |
| ·空间分辨率和角度分辨率 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-36页 |
| 第3章 EBSD 测试样品 | 第36-44页 |
| ·VLSI 和ULSI 金属化系统 | 第36-39页 |
| ·Al 互连线样品 | 第36-38页 |
| ·Cu 互连线样品 | 第38-39页 |
| ·半导体外延系统 | 第39-42页 |
| ·GaN/蓝宝石结构 | 第39-41页 |
| ·GaAs/AlGaAs 结构 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 金属互连线的微结构及局域应力 | 第44-52页 |
| ·Al 互连线和Cu 互连线的微结构 | 第44-49页 |
| ·晶粒尺寸及形态 | 第44-45页 |
| ·晶体学取向 | 第45-47页 |
| ·晶界类型 | 第47-49页 |
| ·Al 互连线中的应力 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 半导体外延结构中弹性应变的EBSD 分析 | 第52-64页 |
| ·GaN/蓝宝石异质外延结构中的应力分布 | 第52-61页 |
| ·不同厚度的应力缓冲层（Buffer） | 第52-59页 |
| ·不同厚度的表面覆盖层 | 第59-61页 |
| ·GaAs/AlGaAs 外延结构中的应力分布 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第6章 EBSD 菊池花样的处理、分析和计算 | 第64-72页 |
| ·Kikuchi 花样的快速傅立叶处理 | 第64-69页 |
| ·Kikuchi 花样晶带轴的微小移动 | 第69-71页 |
| ·EBSD 应力敏感参数的提取 | 第71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 攻读硕士期间所发表的学术论文 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
