自支撑GaN衬底的研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-6页
目录	第6-7页
第一章 绪论	第7-17页
§1.1 GaN的晶体结构及其性质	第7-9页
§1.2 GaN材料的应用	第9-10页
§1.3 GaN材料的制备方法及其进展	第10-16页
§1.4 本文研究目的及内容	第16-17页
第二章 MOCVD生长2μm GaN/Si	第17-24页
§2.1 Si衬底上生长GaN的难点	第17页
§2.2 解决办法	第17-19页
§2.3 MOCVD设备	第19-22页
§2.4 2μm GaN/Si的生长条件	第22-24页
第三章 GaN薄膜的剥离及性质研究	第24-35页
§3.1 剥离分析	第24-26页
§3.2 GaN的剥离实验	第26页
§3.3 GaN品质测量仪器	第26-29页
§3.4 GaN剥离前后的性质研究对比	第29-34页
§3.5 小结	第34-35页
第四章 GaN厚膜的HVPE生长	第35-41页
§4.1 HVPE原理	第35页
§4.2 HVPE系统结构	第35-39页
§4.3 GaN厚膜的生长分析	第39-40页
§4.4 自支撑GaN的生长条件及结果	第40-41页
第五章 结论	第41-42页
致谢	第42-43页
参考文献	第43-44页