利用金属过渡层键合Si/Si、Si/GaN的研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-11页
第一章 绪论	第11-19页
·Si－Si 键合技术的发展和应用	第11-12页
·Si 和GaN 键合技术的发展和应用	第12-14页
·本论文的主要内容和创新	第14-16页
参考文献	第16-19页
第二章利用金属过渡层低温键合硅晶片	第19-37页
·实验	第19-22页
·表面清洗处理	第19-20页
·溅射金属	第20页
·预键合	第20-21页
·退火处理	第21-22页
·性能测试与分析	第22-31页
·I－V 测试	第22-23页
·拉力测试	第23-25页
·XPS 测试	第25-31页
·机理分析	第31-35页
·小结	第35-36页
参考文献	第36-37页
第三章 利用金属过渡层键合 Si－GaN 的研究	第37-64页
·实验	第37-42页
·清洗	第37页
·溅射金属	第37-38页
·键合	第38-40页
·激光剥离	第40-42页
·结果和讨论	第42-62页
·显微镜分析	第42-52页
·XRD 测试	第52-56页
·拉曼测试	第56-59页
·PL 测试	第59-62页
·小结	第62-63页
参考文献	第63-64页
第四章 工作总结与展望	第64-66页
·工作总结	第64页
·今后研究工作计划	第64-66页
硕士期间发表的论文	第66-67页
致谢	第67页