| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-25页 |
| ·纳米科学与技术发展简介 | 第8-10页 |
| ·纳米科技的定义与基本内涵 | 第8-9页 |
| ·纳米科技的简要历史回顾 | 第9-10页 |
| ·纳米材料的特性 | 第10-12页 |
| ·纳米领域器件制备新概念－“Bottom-Up”组装 | 第12-14页 |
| ·纳米器件的主要基元 | 第14-16页 |
| ·一维纳米结构的组装 | 第16-19页 |
| ·纳米电子和光电子器件研究进展 | 第19-22页 |
| ·本文的研究动机和总体结构 | 第22-25页 |
| 第二章 一维半导体纳米材料的制备与表征 | 第25-43页 |
| ·一维纳米材料的主要制备方法 | 第25-28页 |
| ·高质量ZnTe 单晶纳米线的生长与其性质研究 | 第28-37页 |
| ·ZnTe 材料的性质、主要应用与研究现状 | 第28-29页 |
| ·ZnTe 单晶纳米线的生长 | 第29-31页 |
| ·ZnTe 纳米线的结构表征与光学性质 | 第31-37页 |
| ·GaN 纳米线的生长与其性质研究 | 第37-43页 |
| ·GaN 材料的性质、主要应用与研究现状 | 第37-39页 |
| ·GaN 单晶纳米线的生长过程 | 第39页 |
| ·GaN 纳米线的结构和性能表征 | 第39-43页 |
| 第三章 半导体纳米线的掺杂与表征 | 第43-54页 |
| ·半导体纳米线掺杂的研究进展 | 第43-44页 |
| ·半导体纳米线浅杂质掺杂 | 第44-48页 |
| ·ZnTe 纳米线生长后掺杂Cu | 第44-45页 |
| ·原位合成重掺杂Si 的GaN 纳米线 | 第45-48页 |
| ·半导体纳米线发光中心杂质掺杂 | 第48-54页 |
| 第四章 半导体纳米线场效应管器件的制备与性能研究 | 第54-77页 |
| ·半导体纳米线FET 研究进展 | 第54-56页 |
| ·纳米线FET 制备的工艺方法 | 第56-59页 |
| ·纳米器件制备的主要工艺 | 第56-58页 |
| ·纳米线FET 制备的工艺流程 | 第58-59页 |
| ·ZnTe 纳米线FET 性能研究 | 第59-67页 |
| ·GaN 纳米线FET 性能研究 | 第67-70页 |
| ·分析纳米线中浅杂质元素的一种方法 | 第70-73页 |
| ·纳米线掩膜刻蚀的方法制备Si 纳米线FET 及其性能 | 第73-77页 |
| ·Si 纳米线FET 结构制备流程 | 第73-74页 |
| ·Si 纳米线FET 的器件性能 | 第74-77页 |
| 第五章 半导体纳米线电致发光器件的制备与性能研究 | 第77-93页 |
| ·半导体纳米线电致发光器件研究进展 | 第77-78页 |
| ·纳米线电致发光器件的制备流程 | 第78-79页 |
| ·ZnO 纳米线的电致发光性能研究 | 第79-87页 |
| ·CdS 纳米带的电致发光性能研究 | 第87-89页 |
| ·GaN 纳米线的电致发光性能研究 | 第89-93页 |
| 第六章 总结 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-108页 |
| 攻读博士期间论文发表情况 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |