目录 | 第1-6页 |
CONTENTS | 第6-8页 |
中文摘要 | 第8-11页 |
ABSTRACT | 第11-15页 |
符号说明 | 第15-16页 |
第一章 引言 | 第16-30页 |
·激光与物质相互作用 | 第16-21页 |
·研究激光与半导体相互作用及损伤的意义 | 第21-22页 |
·研究激光对砷化镓材料损伤的意义以及目前的研究进展 | 第22-25页 |
·本论文的主要研究工作、安排及创新点 | 第25-27页 |
参考文献 | 第27-30页 |
第二章 砷化镓的性质及激光与半导体相互作用的基本理论 | 第30-48页 |
·砷化镓半导体的基本性质 | 第30-36页 |
·砷化镓半导体的晶体结构 | 第30-31页 |
·砷化镓半导体的能带结构 | 第31-33页 |
·砷化镓的基本物理化学性质 | 第33页 |
·砷化镓的半导体性质 | 第33-35页 |
·砷化镓的热物理性质 | 第35-36页 |
·激光与半导体材料相互作用的基本理论 | 第36-45页 |
·半导体材料对激光的吸收 | 第37-40页 |
·载流子复合 | 第40-42页 |
·半导体材料的损伤机理 | 第42-45页 |
参考文献 | 第45-48页 |
第三章 0.53μm连续激光辐照对砷化镓的损伤研究 | 第48-65页 |
·0.53μm连续激光对砷化镓损伤的实验 | 第50-56页 |
·实验过程 | 第50-51页 |
·结果及讨论 | 第51-56页 |
·连续激光作用的理论处理 | 第56-61页 |
·解析分析 | 第57-59页 |
·有限差分法理论计算 | 第59-61页 |
·计算结果及分析 | 第61页 |
本章总结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-65页 |
第四章 1.06μm连续激光辐照对砷化镓的损伤研究 | 第65-77页 |
·实验过程 | 第66-67页 |
·实验现象及结果 | 第67-71页 |
·理论分析及讨论 | 第71-73页 |
本章总结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-77页 |
第五章 0.53μm纳秒脉冲激光对砷化镓的损伤研究 | 第77-92页 |
·实验过程 | 第79-80页 |
·实验结果及讨论 | 第80-83页 |
·理论分析 | 第83-88页 |
本章总结 | 第88-89页 |
参考文献 | 第89-92页 |
第六章 1.06μm纳秒脉冲激光对砷化镓的损伤研究 | 第92-113页 |
·实验过程及实验结果 | 第94-102页 |
·对1.06μm纳秒脉冲激光对砷化镓材料损伤的理论分析 | 第102-109页 |
本章总结 | 第109页 |
参考文献 | 第109-113页 |
第七章 全文总结 | 第113-116页 |
致谢 | 第116-117页 |
博士期间所参加科研项目和发表的学术论文 | 第117-118页 |
附第一作者发表英文论文两篇 | 第118-128页 |