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材料
Ag掺杂ZnO的第一性原理研究
脉冲激光制备ZnO薄膜机理的研究
PLD法制备ZnO薄膜及其特性研究
Fe掺杂In2O3室温磁性半导体
取向ZnO纳米线阵列的制备及特性研究
氧化锡纳米线的制备及表征
氮化镓纳米颗粒的制备及性质研究
MgZnO:Al透明导电膜的制备与特性研究
有机共轭聚合物中自旋—轨道相互作用研究
强激光对砷化镓材料损伤机理的研究
ZnMnO薄膜的制备及性质研究
神经网络PID算法在坩埚旋转与位置控制中的应用
理论和实验研究稀土掺杂对ZnO能隙的调控作用
稀土Sm和Gd掺杂纳米TiO2的结构及光学特性
脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其光电性质研究
脉冲激光沉积制备AlN薄膜的研究
ZnS/PS复合体系的白光发射研究
含金属纳米线多孔铝膜的偏振特性
Si基磁控溅射Ga2O3/Al膜制备GaN一维纳米结构的研究
硅基以ZnO为缓冲层制备GaN薄膜和一维纳米结构的研究
CuO/SiO2纳米复合薄膜的制备和特性研究
氮化铟及氮化镓的制备及特性研究
纳米氧化镁颗粒和薄膜的制备
准一维纳米材料有序阵列的模板合成与表征
准一维纳米氧化锌的制备及其光学特性的研究
CVD法合成一维GaN纳米结构和GaN薄膜的研究
热氧化生成TiO2及氮掺杂TiO2薄膜的研究
不锈钢表面TiO2薄膜的制备及其性能研究
聚对二甲苯在混合电路中应用技术研究
AlN基稀磁半导体的第一性原理计算
半导体薄膜特性实时检测技术的研究
碳化硅外延材料生长温度场模拟和表征技术研究
Si基应变材料能带结构研究
Ⅲ-Ⅴ族量子阱的共振隧穿及Ⅰ-Ⅴ特性理论研究
静压对Ⅲ-Ⅴ族量子阱共振隧穿的影响
砷化镓基半导体材料抗辐照噪声表征参量研究
半绝缘SiC单晶电学参数的测量技术研究
纳米硫化锌复合半导体的制备及其性能研究
6H-SiC单晶电参数的红外光谱研究
PVT法生长SiC晶体的热系统分析
GaN基Ni/Au肖特基接触特性研究
GaN基欧姆接触及AlGaN/GaN HEMT器件研究
化合物半导体Cd1-xZnxTe中的In掺杂及其与Au的接触特性
稀磁半导体Hg1-xMnxTe的晶体生长及性能表征
CdZnTe单晶表面、界面及位错的研究
冲击电压下半导体材料表面闪络现象与机理的研究
特种SOI材料及相关技术研究
Cd1-xMnxTe的晶体生长、性能表征及In掺杂研究
采用液相化学法沉积ZnS缓冲层的研究
TDL-150型单晶炉炉体设计及炉内温场和氩气流场的数值模拟
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