| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·GaN 材料的性质 | 第11-13页 |
| ·外延衬底及制备技术 | 第13-15页 |
| ·外延GaN 材料所需要的衬底 | 第13-14页 |
| ·GaN 材料的制备技术 | 第14-15页 |
| ·GaN 材料研究中的难点和前景 | 第15-17页 |
| ·GaN 材料的研究的难点 | 第15-16页 |
| ·GaN 基LED 前景 | 第16-17页 |
| ·本论文的意义及工作安排 | 第17-18页 |
| 第2章 GaN 材料的MOCVD 外延方法及表征手段 | 第18-34页 |
| ·MOCVD 系统的简介 | 第18-27页 |
| ·MOCVD 系统组成 | 第19-22页 |
| ·GaN 材料生长模型 | 第22-23页 |
| ·生长控制原理 | 第23-27页 |
| ·GaN 材料的表征 | 第27-33页 |
| ·在位监测 | 第27-28页 |
| ·X 射线双晶衍射 | 第28-29页 |
| ·霍尔测试 | 第29-30页 |
| ·光致发光测试（Photoluminescence） | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜（AFM）与光学显微镜（Optical Microscope） | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 非故意掺杂GaN 生长条件及外延工艺研究 | 第34-42页 |
| ·缓冲层技术 | 第34-36页 |
| ·薄膜生长理论 | 第34-35页 |
| ·二步缓冲层技术 | 第35-36页 |
| ·第一步缓冲层的生长条件的优化 | 第36-40页 |
| ·缓冲层厚度 | 第37-39页 |
| ·缓冲层生长温度 | 第39-40页 |
| ·缓冲层生长压力 | 第40页 |
| ·第二步缓冲层的生长条件的影响 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 GaN 材料的掺杂特性 | 第42-58页 |
| ·GaN 材料掺杂理论 | 第42-43页 |
| ·GaN 材料的N 型掺杂 | 第43-47页 |
| ·N 型掺杂机理 | 第44页 |
| ·生长条件对N-GaN 材料的影响 | 第44-47页 |
| ·GaN 材料的P 型掺杂 | 第47-56页 |
| ·GaN 材料的P 型掺杂机理 | 第47-49页 |
| ·常规P 型GaN 的生长 | 第49-51页 |
| ·Delt 掺杂技术制备P 型GaN | 第51-54页 |
| ·预通氨的作用 | 第54-56页 |
| ·GaN 材料掺In 对杂质的影响 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 外延粗化方法提高LED 外量子效率 | 第58-68页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·理论分析 | 第58-60页 |
| ·腐蚀方法提高外量子效率 | 第60-62页 |
| ·外延粗化方法提高外量子效率 | 第62-67页 |
| ·使用Mg 掺杂剂的粗化 | 第62-64页 |
| ·使用Si 掺杂剂的粗化 | 第64-65页 |
| ·外延粗化实验 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
