| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 符号说明 | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| ·研究的背景和意义 | 第15-16页 |
| ·论文的结构安排 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 第一性原理计算的理论基础和CASTEP简介 | 第19-38页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第20-29页 |
| ·从波函数到电子密度 | 第20-22页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第22-24页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| ·局域密度近似(LDA)与广义梯度近似(GGA) | 第25-27页 |
| ·Kohn-Sham方程平面波表达 | 第27-29页 |
| ·电子与离子相互作用赝势近似 | 第29-31页 |
| ·第一性原理的算法及CASTEP软件特点 | 第31-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第三章 含B化合物新材料的理论计算 | 第38-69页 |
| ·引言 | 第38-40页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ化合物半导体的基本特征 | 第40-45页 |
| ·二元系的晶格结构 | 第40-41页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ半导体固溶体 | 第41-45页 |
| ·BP,BAs,BSb的电子性质 | 第45-50页 |
| ·含B三元系能隙计算 | 第50-63页 |
| ·超胞近似 | 第51-52页 |
| ·B_xGa_(1-x)As的电子性质 | 第52-55页 |
| ·B_xGa_(1-x)Sb的电子性质 | 第55-60页 |
| ·其它几种含B三元系的能隙弯曲参数 | 第60-63页 |
| ·含B四元系能隙计算 | 第63-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第四章 InP/GaAs(100)异质外延生长缓冲层技术的研究 | 第69-108页 |
| ·引言 | 第69-73页 |
| ·缓冲层技术 | 第70-72页 |
| ·InP/GaAs异质外延的概况 | 第72-73页 |
| ·异质外延晶体质量的表征技术 | 第73-78页 |
| ·X射线衍射技术 | 第74-76页 |
| ·透射电子显微镜术(TEM) | 第76页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第76-78页 |
| ·低温缓冲层法InP/GaAs的异质外延生长 | 第78-85页 |
| ·单层低温缓冲层法 | 第78-81页 |
| ·低温InP缓冲层与正常外延层的形貌关系 | 第81-83页 |
| ·双低温缓冲层法 | 第83-85页 |
| ·应变超晶格在InP/GaAs异质外延生长中的应用 | 第85-95页 |
| ·InP/Ga_xIn_(1-x)P应变超晶格的生长 | 第86-88页 |
| ·Ga_(0.1)In_(0.9)P/InP SLS对InP/GaAs异质外延晶体的影响 | 第88-95页 |
| ·InP/GaAs异质外延在单片集成PIN光探测中的应用 | 第95-103页 |
| ·InP/GaAs异质外延衬底In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP MQW的生长 | 第95-100页 |
| ·GaAs衬底单片集成In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN探测器的制备 | 第100-103页 |
| 参考文献 | 第103-108页 |
| 第五章 GaAs/Si的异质外延生长 | 第108-122页 |
| ·引言 | 第108-111页 |
| ·基于低温缓冲层法的GaAs/Si(100)异质外延生长 | 第111-116页 |
| ·GaAs/Si(100)生长的实验方案 | 第111-112页 |
| ·实验测试结果与讨论 | 第112-116页 |
| ·Si(100)4°偏角衬底的GaAs异质外延生长 | 第116-120页 |
| ·实验测试结果与讨论 | 第116-120页 |
| 参考文献 | 第120-122页 |
| 第六章 总结 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第126-127页 |
