| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 1 绪论 | 第17-26页 |
| 1.1 半导体纳米材料的基本特性 | 第18-19页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 | 第19-24页 |
| 1.3 理论计算在Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线研究中的重要性 | 第24-25页 |
| 1.4 本论文工作简介 | 第25-26页 |
| 2 第一性原理的理论计算方法 | 第26-41页 |
| 2.1 第一性原理在计算材料学中的地位 | 第26页 |
| 2.2 第一性原理计算简介 | 第26-27页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第27-36页 |
| 2.3.1 玻恩 -奥本海默近似 | 第28-29页 |
| 2.3.2 Hartree-Fock自洽场方法 | 第29-31页 |
| 2.3.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第31-32页 |
| 2.3.4 Kohn-Sham方程 | 第32页 |
| 2.3.5 交换关联泛函 | 第32-33页 |
| 2.3.6 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法 | 第33-36页 |
| 2.4 密度泛函理论的自洽计算过程 | 第36-37页 |
| 2.5 计算软件介绍 | 第37-41页 |
| 2.5.1 Materials Studio软件简介 | 第37-38页 |
| 2.5.2 VASP计算软件简介 | 第38-39页 |
| 2.5.3 Vesta计算软件简介 | 第39-41页 |
| 3 Ⅲ-Ⅴ族半导体的体相性质 | 第41-52页 |
| 3.1 体相性质对于研究纳米线性质的意义 | 第41页 |
| 3.2 计算方法 | 第41-42页 |
| 3.3 不同晶相的Ⅲ-Ⅴ族半导体结构变化 | 第42-44页 |
| 3.4 Ⅲ-Ⅴ族块体的电子性质 | 第44-50页 |
| 3.4.1 磷化镓块体的电子性质 | 第45-47页 |
| 3.4.2 磷化铟和砷化镓块体的电子性质 | 第47-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 4 晶面效应对磷化铟纳米线结构稳定性和电子性质的影响 | 第52-63页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第53-54页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第54-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 5 晶面和晶相效应对磷化镓纳米线结构稳定性和电子性质的影响 | 第63-75页 |
| 5.1 引言 | 第63-64页 |
| 5.2 计算方法和模型 | 第64-66页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第66-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 6 砷化镓/磷化镓核壳结构的电子性质 | 第75-88页 |
| 6.1 引言 | 第75-76页 |
| 6.2 计算模型和方法 | 第76-78页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第78-86页 |
| 6.3.1 壳层钝化作用对纳米线电子结构的影响 | 第78-79页 |
| 6.3.2 组分比和尺寸效应对核壳结构纳米线电子性质的影响 | 第79-83页 |
| 6.3.3 核壳结构纳米线的载流子空间局域化特征 | 第83-86页 |
| 6.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 7 总结与展望 | 第88-91页 |
| 7.1 论文总结 | 第88-89页 |
| 7.2 后续展望 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-101页 |
| 作者简历 | 第101页 |
