| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 4H-SiC材料优势 | 第16-17页 |
| 1.2 4H-SiC双极器件的发展及存在的问题 | 第17-20页 |
| 1.2.1 4H-SiC PiN二极管 | 第18-19页 |
| 1.2.2 4H-SiC BJT | 第19页 |
| 1.2.3 4H-SiC IGBT | 第19页 |
| 1.2.4 4H-SiC双极器件存在的问题 | 第19-20页 |
| 1.3 4H-SiC载流子寿命相关研究及进展 | 第20-22页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第22-24页 |
| 第二章 4H-SiC材料中的寿命限制缺陷 | 第24-32页 |
| 2.1 4H-SiC材料中限制寿命的缺陷 | 第24-28页 |
| 2.1.1 4H-SiC材料中的深能级中心 | 第24页 |
| 2.1.2 4H-SiC材料中主要的寿命限制缺陷Z_(1/2) | 第24-28页 |
| 2.2 4H-SiC材料中的载流子寿命 | 第28-31页 |
| 2.2.1 点缺陷对载流子寿命的影响 | 第29-30页 |
| 2.2.2 扩展缺陷对载流子寿命的影响 | 第30-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 C离子注入对 4H-SiC材料中寿命限制缺陷的影响 | 第32-56页 |
| 3.1 4H-SiC载流子寿命的增强与测量研究 | 第32-39页 |
| 3.1.1 4H-SiC载流子寿命的增强研究 | 第33-35页 |
| 3.1.2 4H-SiC载流子寿命的测量研究 | 第35-39页 |
| 3.2 C（碳）离子注入模型建立 | 第39-48页 |
| 3.2.1 离子注入技术 | 第39-40页 |
| 3.2.2 C离子注入模型建立 | 第40-43页 |
| 3.2.3 C（碳）离子注入条件的Silvaco仿真 | 第43-46页 |
| 3.2.4 加C离子注入的 4H-SiC外延片样品的制备 | 第46-48页 |
| 3.3 C离子注入对缺陷Z_(1/2)影响的测试与分析 | 第48-54页 |
| 3.3.1 深能级瞬态谱（DLTS） | 第48-52页 |
| 3.3.2 C离子注入对深能级缺陷Z_(1/2)的影响 | 第52-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 寿命增强后的 4H-SiC PiN二极管性能的研究 | 第56-78页 |
| 4.1 外延层经C离子注入的 4H-SiC PiN二极管的制备 | 第56-66页 |
| 4.1.1 4H-SiC PiN二极管的工作机理 | 第56-58页 |
| 4.1.2 外延层经C离子注入的 4H-SiC PiN二极管的制备 | 第58-66页 |
| 4.2 4H-SiC PiN二极管性能和寿命的关系 | 第66-67页 |
| 4.2.1 4H-SiC PiN二极管正向导通性能和寿命的关系 | 第66-67页 |
| 4.2.2 4H-SiC PiN二极管阻断性能和寿命的关系 | 第67页 |
| 4.3 寿命增强后的 4H-SiC PiN二极管性能的研究 | 第67-74页 |
| 4.3.1 C离子注入对 4H-SiC PiN二极管正向性能的影响 | 第68-71页 |
| 4.3.2 C离子注入对 4H-SiC PiN二极管反向性能的影响 | 第71-74页 |
| 4.4 寿命增强的 4H-SiC PiN二极管反向恢复特性的仿真 | 第74-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 作者简介 | 第86-87页 |
