| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第10-12页 |
| 第二章 GaN性质及GaN晶体的生长 | 第12-37页 |
| 2.1 GaN的基本性质 | 第12-13页 |
| 2.2 提高GaN外延质量的方法 | 第13-36页 |
| 2.2.1 Si上生长缓冲层 | 第14-18页 |
| 2.2.2 “悬空”结构外延GaN | 第18-26页 |
| 2.2.3 图形化衬底上GaN的选择性外延 | 第26-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 亚微米深孔中GaN的异质外延生长 | 第37-56页 |
| 3.1 亚微米深孔实验的提出 | 第37-39页 |
| 3.2 亚微米深孔实验的设计 | 第39-41页 |
| 3.3 样品的制备 | 第41-48页 |
| 3.4 实验测试与结果分析 | 第48-54页 |
| 3.4.1 TEM样品的制作与TEM测试 | 第48-50页 |
| 3.4.2 2 um小孔中GaN晶体的形貌 | 第50-51页 |
| 3.4.3 200 nm小孔中GaN晶体的形貌 | 第51页 |
| 3.4.4 50 nm及20 nm小孔中GaN晶体的形貌 | 第51-53页 |
| 3.4.5 长槽开口中GaN晶体的形貌 | 第53-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 小孔上的横向GaN外延生长 | 第56-75页 |
| 4.1 掩膜层上的横向GaN外延生长实验的设计 | 第56-62页 |
| 4.1.1 小孔外GaN的横向外延生长及合并实验的设计 | 第56-57页 |
| 4.1.2 顶部限制层构成的横向空腔实验的设计 | 第57-62页 |
| 4.2 顶部限制层构成的横向空腔的制备 | 第62-68页 |
| 4.3 实验测试与结果分析 | 第68-73页 |
| 4.3.1 小孔外GaN的横向外延生长及合并实验 | 第68-70页 |
| 4.3.2 第一次顶部限制层构成的横向空腔实验 | 第70-72页 |
| 4.3.3 第二次顶部限制层构成的横向空腔实验 | 第72-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士期间获得的成果 | 第81页 |