当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
近红外InGaAs光电阴极材料特性仿真与表面敏化研究
锗单晶切割片中缺陷的表面腐蚀研究
ZnO、NiO薄膜和n-ZnO/p-NiO异质结结构的制备和特性研究
硒化物半导体材料制备及其光电与热电性能研究
硅和砷烯中缺陷的电子结构与光学性质研究
高效发光CuInS2和CuInS2/ZnS量子点的绿色合成及工艺连续化研究
ZnO过渡金属掺杂及亚稳相的第一性原理研究
Be,Mg掺杂ZnO基半导体材料的结构及电学性质的理论研究
Ⅱ-Ⅵ族三元合金半导体热力学性质的第一性原理研究
冷压制备工业硅生产用碳质还原剂球团及成型机理研究
氧化铜薄膜的制备与掺杂研究
磷化铟纳米线及其平面阵列的制备和光探测研究
定向凝固多晶铸锭的影响因素
基于氧化物衬底的CdTe单晶薄膜的分子束外延制备及外延机制
低缺陷密度大单晶比例太阳能级类单晶硅锭制备及其表面制绒研究
半导体纳米晶材料的合成及其在光电器件中的应用
有机半导体材料的激光特性研究
极性可控的GaN与ZnO薄膜的MOCVD外延生长及其组合发光器件研究
ZnO微纳米柱的生长、掺杂与性质研究
新型二维材料SnS2电子结构及其性能的调控研究
ZnO p-n结设计、制备及内嵌ZnMgO量子势垒对其光电性能调制作用的研究
碳化硅表面声子激元激发
激光辐照下半导体材料杂质动力学及诱导损伤机理研究
多支苯乙烯基共轭材料的合成及场效应性能研究
高硅铝合金中初晶硅的细化研究
基于不同原料体系的SiC纳米线量产化制备工艺研究
基于MOCVD方法的N面GaN材料生长及特性研究
探测器用CdZnTe晶体载流子输运过程的研究
红外调制光谱研究Ⅲ-Ⅴ族窄禁带锑化物与稀铋半导体电子能带结构
基于无序结构及重掺杂半导体超材料吸收体的研究
化学配比对磷化铟中本征缺陷、杂质特性的影响
Sol-gel法制备的SnO2掺杂TiO2的厚膜及其气敏特性研究
基于SiC SBD欧姆接触的研究
大直径区熔硅单晶的研究与制备
硫族半导体材料的陷光结构设计、制备及太阳能利用研究
基于多孔硅/纳米金光子器件荧光增强的研究
基于多孔硅光子器件量子点荧光增强的研究
利用CBD法进行氧化锌掺杂半导体纳米阵列的制备及特性研究
氧化锌（ZnO）/Ag纳米结构的光电性质研究
(La,AE)(Ag0.925Mn0.075)SO和（Y,AE）(Cu0.925Mn0.075)SO（AE=Sr,Ba）新型稀磁半导体的研制及PL光谱研究
金刚石飞切硅片微槽表面创成机理研究
微尺度下单晶硅疲劳失效机理的分子动力学模拟研究
层状InSe基半导体热电材料的结构与性能研究
4H-SiC的反应离子刻蚀和电化学刻蚀研究
有机P型半导体材料的制备及其表征
银掺杂二氧化锡纳米线的制备及其光学性能研究
MoS2/ZnO复合结构制备及光学性质研究
InGaAs量子点可控生长研究
纤维表面ZnO纳米结构的构筑及性能研究
Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的结构和磁性研究
上一页
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
下一页
