摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-21页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 纳米线结构及特性 | 第13-14页 |
1.3 二维材料结构及特性 | 第14-15页 |
1.4 GW近似方法 | 第15-17页 |
1.5 本论文的结构安排 | 第17-18页 |
参考文献 | 第18-21页 |
第二章 低维半导体材料结构和电子特性研究 | 第21-55页 |
2.1 不同构型的砷化镓纳米线结构和电子特性 | 第21-29页 |
2.1.1 计算方法和模型 | 第21-23页 |
2.1.2 结果与讨论 | 第23-28页 |
2.1.3 本节小结 | 第28-29页 |
2.2 均匀应变对GaX(X=N、P、As、Sb和Bi)体系的调控 | 第29-35页 |
2.2.1 计算方法和模型 | 第29-31页 |
2.2.2 结果与讨论 | 第31-35页 |
2.2.3 本节小结 | 第35页 |
2.3 砷化镓/铋化镓合金的结构和电子特性 | 第35-42页 |
2.3.1 计算方法和模型 | 第36-38页 |
2.3.2 结果与讨论 | 第38-42页 |
2.3.3 本节小结 | 第42页 |
2.4 二维砷烯材料的结构和电子特性 | 第42-50页 |
2.4.1 计算方法和模型 | 第44-45页 |
2.4.2 结果与讨论 | 第45-49页 |
2.4.3 本节小结 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-55页 |
第三章 低维半导体材料磁学特性研究 | 第55-75页 |
3.1 序言 | 第55页 |
3.2 锰和铁共掺氧化锌的电子结构和磁学特性 | 第55-64页 |
3.2.1 计算方法和模型 | 第56-59页 |
3.2.2 结果与讨论 | 第59-64页 |
3.2.3 本节小结 | 第64页 |
3.3 钒掺杂氮化铝纳米片的电子结构和磁学特性 | 第64-72页 |
3.3.1 计算方法和模型 | 第65-66页 |
3.3.2 结果与讨论 | 第66-71页 |
3.3.3 本节小结 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-75页 |
第四章 基于平面波的全自洽GW近似方法研究 | 第75-109页 |
4.1 序言 | 第75-78页 |
4.2 全自洽GW方法的主方程 | 第78-80页 |
4.3 全自洽GW方法的具体实现 | 第80-94页 |
4.3.1 介电函数求解 | 第80-86页 |
4.3.2 自能的求解 | 第86-88页 |
4.3.3 准粒子能量的求解 | 第88-90页 |
4.3.4 赝势的选取 | 第90-94页 |
4.4 结果与讨论 | 第94-99页 |
4.5 本章小结 | 第99-100页 |
附录4A 周期性体系GW主方程的推导 | 第100-102页 |
附录4B k→0时极化函数的求解 | 第102-103页 |
附录4C 赝势的细节补充 | 第103-104页 |
参考文献 | 第104-109页 |
第五章 论文总结及展望 | 第109-114页 |
5.1 论文总结 | 第109-111页 |
5.2 未来工作展望 | 第111-114页 |
致谢 | 第114-115页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第115-116页 |