首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

低维半导体材料电子结构和磁学特性研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第12-21页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 纳米线结构及特性第13-14页
    1.3 二维材料结构及特性第14-15页
    1.4 GW近似方法第15-17页
    1.5 本论文的结构安排第17-18页
    参考文献第18-21页
第二章 低维半导体材料结构和电子特性研究第21-55页
    2.1 不同构型的砷化镓纳米线结构和电子特性第21-29页
        2.1.1 计算方法和模型第21-23页
        2.1.2 结果与讨论第23-28页
        2.1.3 本节小结第28-29页
    2.2 均匀应变对GaX(X=N、P、As、Sb和Bi)体系的调控第29-35页
        2.2.1 计算方法和模型第29-31页
        2.2.2 结果与讨论第31-35页
        2.2.3 本节小结第35页
    2.3 砷化镓/铋化镓合金的结构和电子特性第35-42页
        2.3.1 计算方法和模型第36-38页
        2.3.2 结果与讨论第38-42页
        2.3.3 本节小结第42页
    2.4 二维砷烯材料的结构和电子特性第42-50页
        2.4.1 计算方法和模型第44-45页
        2.4.2 结果与讨论第45-49页
        2.4.3 本节小结第49-50页
    参考文献第50-55页
第三章 低维半导体材料磁学特性研究第55-75页
    3.1 序言第55页
    3.2 锰和铁共掺氧化锌的电子结构和磁学特性第55-64页
        3.2.1 计算方法和模型第56-59页
        3.2.2 结果与讨论第59-64页
        3.2.3 本节小结第64页
    3.3 钒掺杂氮化铝纳米片的电子结构和磁学特性第64-72页
        3.3.1 计算方法和模型第65-66页
        3.3.2 结果与讨论第66-71页
        3.3.3 本节小结第71-72页
    参考文献第72-75页
第四章 基于平面波的全自洽GW近似方法研究第75-109页
    4.1 序言第75-78页
    4.2 全自洽GW方法的主方程第78-80页
    4.3 全自洽GW方法的具体实现第80-94页
        4.3.1 介电函数求解第80-86页
        4.3.2 自能的求解第86-88页
        4.3.3 准粒子能量的求解第88-90页
        4.3.4 赝势的选取第90-94页
    4.4 结果与讨论第94-99页
    4.5 本章小结第99-100页
    附录4A 周期性体系GW主方程的推导第100-102页
    附录4B k→0时极化函数的求解第102-103页
    附录4C 赝势的细节补充第103-104页
    参考文献第104-109页
第五章 论文总结及展望第109-114页
    5.1 论文总结第109-111页
    5.2 未来工作展望第111-114页
致谢第114-115页
攻读博士学位期间发表的学术论文第115-116页

论文共116页,点击 下载论文
上一篇:基于cell-SELEX技术的恶性黑色素瘤细胞高侵袭性适配体筛选
下一篇:云南宣威不同地区燃煤致F344大鼠慢性肺损伤及其机制的初步研究