| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 半导体纳米材料简介 | 第16-18页 |
| 1.2.1 纳米材料及特性 | 第16页 |
| 1.2.2 Cu_xS半导体纳米材料 | 第16-18页 |
| 1.3 Cu_xS纳米材料的制备方法 | 第18-23页 |
| 1.3.1 硫化法 | 第18页 |
| 1.3.2 气相生长法 | 第18-21页 |
| 1.3.3 液相法 | 第21-22页 |
| 1.3.4 模板制备法 | 第22-23页 |
| 1.4 纳米材料的应用 | 第23-28页 |
| 1.4.1 纳米材料的异质结及肖特基结 | 第23-24页 |
| 1.4.2 纳米光电探测器 | 第24-25页 |
| 1.4.3 纳米太阳能电池 | 第25-26页 |
| 1.4.4 纳米发光二极管 | 第26-27页 |
| 1.4.5 纳米存储器 | 第27-28页 |
| 1.5 本课题的研究背景、目的、意义及现状 | 第28-30页 |
| 第二章 Cu_2S纳米线的合成及表征 | 第30-44页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 实验所用药品 | 第30-31页 |
| 2.3 实验所用设备 | 第31-33页 |
| 2.4 Cu_2S纳米线的合成 | 第33页 |
| 2.5 Cu_2S纳米线的表征 | 第33-39页 |
| 2.5.1 XRD分析 | 第34-35页 |
| 2.5.2 SEM、EDS分析 | 第35页 |
| 2.5.3 TEM分析 | 第35-36页 |
| 2.5.4 XPS分析 | 第36-37页 |
| 2.5.5 拉曼分析 | 第37-38页 |
| 2.5.6 UV-visible分析 | 第38-39页 |
| 2.6 氢气、压强对合成Cu_2S纳米线的影响 | 第39-42页 |
| 2.7 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 Cu_2S单根纳米线场效应管特性研究 | 第44-48页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 纳米场效应管制备 | 第44-45页 |
| 3.3 纳米场效应管的电学特性 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于Cu_2S/In肖特基结的研究 | 第48-52页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 Cu_2S/In肖特基结器件的制备 | 第49-50页 |
| 4.3 Cu_2S/In肖特基结器件的光电特性表征 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 基于Cu_2S/Si异质结研究 | 第52-57页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 Cu_2S/Si p-n异质结的制备 | 第52-53页 |
| 5.3 Cu_2S/Si p-n异质结的光电特性表征 | 第53-55页 |
| 5.4 基于Cu_2S/Si p-n异质结的光学特性分析 | 第55-56页 |
| 5.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 全文总结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第63页 |
