| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 GaN材料的简介 | 第15-19页 |
| 1.1.1 GaN材料的发展和应用 | 第15-17页 |
| 1.1.2 GaN的基本性质 | 第17-19页 |
| 1.2 本文的研究现状 | 第19-23页 |
| 1.2.1 不同极性的GaN材料和常用衬底 | 第19-21页 |
| 1.2.2 本文的研究现状和意义 | 第21-23页 |
| 1.3 本文的研究内容和行文安排 | 第23-25页 |
| 第二章 GaN薄膜的制备方法比较与表征技术 | 第25-35页 |
| 2.1 GaN的制备方法比较 | 第25-26页 |
| 2.2 MOCVD的基本原理和本文实验材料的生长流程 | 第26-29页 |
| 2.2.1 MOCVD技术生长GaN的基本原理 | 第26-27页 |
| 2.2.2 GaN材料外延的生长模型和工艺流程 | 第27-28页 |
| 2.2.3 本文所采用的MOCVD设备简介 | 第28-29页 |
| 2.3 主要表征技术 | 第29-34页 |
| 2.3.1 原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| 2.3.2 扫描电镜(SEM) | 第30-31页 |
| 2.3.3 高分辨率X射线衍射仪(HRXRD) | 第31-32页 |
| 2.3.4 光致发光(PL)谱 | 第32-33页 |
| 2.3.5 二次离子(SIMS)谱 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 不同极性GaN薄膜的杂质吸附探究 | 第35-51页 |
| 3.1 Ga面与N面薄膜的杂质吸附探究 | 第35-41页 |
| 3.1.1 Ga面与N面材料的生长和结晶质量研究 | 第35-37页 |
| 3.1.2 Ga面与N面材料的形貌和光学特性表征 | 第37-39页 |
| 3.1.3 Ga面与N面材料的外来杂质吸附研究 | 第39-41页 |
| 3.2 a面GaN与c面GaN薄膜的杂质吸附探究 | 第41-49页 |
| 3.2.1 a面与c面GaN薄膜的生长和结构表征 | 第41-44页 |
| 3.2.2 a与c面GaN薄膜的表面形貌分析 | 第44-45页 |
| 3.2.3 温度对a与c面GaN薄膜的杂质结合的影响 | 第45-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 不同极性InGaN势垒层的杂质结合探究 | 第51-67页 |
| 4.1 极性(002)面与半极性(112)面样品制备和In组分的确定 | 第52-63页 |
| 4.1.1 实验样品的制备 | 第52-53页 |
| 4.1.2 极性(002)面与半极性(112)面的形貌变化 | 第53-54页 |
| 4.1.3 极性(002)面与半极性(112)面的应力分析 | 第54-60页 |
| 4.1.4 极性(002)面与半极性(112)面和光学性质 | 第60-63页 |
| 4.2 In的结合效率和外来杂质结合模型 | 第63-66页 |
| 4.2.1 极性(002)面与半极性(112)面的In的效率分析 | 第63-64页 |
| 4.2.2 外来杂质C、H、O和Si的结合模型 | 第64-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论与讨论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |
