摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-31页 |
1.1 前言 | 第11页 |
1.2 ZnO纳米材料的结构和基本性质 | 第11-18页 |
1.2.1 ZnO纳米材料的结构 | 第11-13页 |
1.2.2 ZnO纳米材料的基本性质 | 第13-18页 |
1.3 ZnO纳米线的应用 | 第18-22页 |
1.3.1 电子器件 | 第18-20页 |
1.3.2 光催化 | 第20-21页 |
1.3.3 纳米发电机 | 第21-22页 |
1.4 ZnO纳米材料的制备方法 | 第22-29页 |
1.4.1 溶胶凝胶法 | 第22页 |
1.4.2 溶液法 | 第22-24页 |
1.4.3 磁控溅射法 | 第24页 |
1.4.4 模板法 | 第24-25页 |
1.4.5 气相沉积法 | 第25-29页 |
1.5 掺杂对ZnO性质的影响 | 第29页 |
1.6 本课题研究的内容及意义 | 第29-31页 |
第二章 样品的检测和原理 | 第31-38页 |
2.1 实验装置 | 第31-32页 |
2.2 检测仪器和原理 | 第32-38页 |
2.2.1 X射线衍射 | 第33页 |
2.2.2 场发射扫面电镜(FESEM) | 第33-34页 |
2.2.3 能量色散谱(EDS) | 第34-35页 |
2.2.4 透射电子显微镜(TEM) | 第35页 |
2.2.5 洛伦兹透射电子显微镜(LTEM) | 第35-36页 |
2.2.6 超导量子干涉仪(SQUID) | 第36-37页 |
2.2.7 荧光光谱(SF) | 第37-38页 |
第三章 ZnO纳米线的制备及表征 | 第38-48页 |
3.1 溶液法制备ZnO纳米线及结构表征 | 第38-40页 |
3.1.1 有/无种子层时ZnO纳米线的制备法 | 第38-39页 |
3.1.2 样品的相组成与结构表征 | 第39-40页 |
3.2 CVD法制备ZnO纳米线及结构表征 | 第40-47页 |
3.2.1 ZnO纳米线的制备 | 第40-41页 |
3.2.2 Ar流量变化对ZnO形貌的影响 | 第41-42页 |
3.2.3 O_2流量变化对ZnO形貌的影响 | 第42-43页 |
3.2.4 管内压强变化对ZnO形貌的影响 | 第43-44页 |
3.2.5 不同形貌ZnO纳米线的基本表征及光学性能 | 第44-47页 |
3.3 本章小结 | 第47-48页 |
第四章 Co掺杂ZnO纳米线的制备及表征 | 第48-65页 |
4.1 引言 | 第48页 |
4.2 溶液法制备Co掺杂ZnO纳米线阵列 | 第48-55页 |
4.2.1 Co掺杂ZnO纳米线阵列的制备 | 第48-49页 |
4.2.2 Co掺杂ZnO纳米线阵列的表征 | 第49-52页 |
4.2.3 Co掺杂ZnO纳米线阵列的磁性能 | 第52-54页 |
4.2.4 Co掺杂ZnO纳米阵列的光学性能 | 第54-55页 |
4.3 CVD法制备Co掺杂ZnO纳米线及其表征 | 第55-64页 |
4.3.1 Co掺杂ZnO的实验流程 | 第55-56页 |
4.3.2 Co掺杂ZnO纳米线的基本结构表征 | 第56-61页 |
4.3.3 Co掺杂ZnO纳米线的磁性能 | 第61-62页 |
4.3.4 Co掺杂ZnO纳米线的光学性能 | 第62-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 实验过程各种ZnO纳米形貌 | 第65-71页 |
5.1 硅基片的影响 | 第65-67页 |
5.2 低温下反应釜的影响 | 第67-68页 |
5.3 气氛与温度的影响 | 第68-69页 |
5.4 Zn源变化的影响-Zn箔 | 第69-71页 |
第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
6.1 本文的主要结论 | 第71-72页 |
6.2 展望 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-77页 |
在学研究成果 | 第77-78页 |
致谢 | 第78页 |