半绝缘4H-SiC光导开关研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 光导开关的研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 光导开关研究现状 | 第17-25页 |
| 1.2.1 光导开关的发展 | 第17-19页 |
| 1.2.2 SiC光导开关国外研究现状 | 第19-24页 |
| 1.2.3 SiC光导开关国内研究现状 | 第24-25页 |
| 1.3 本文主要研究工作和章节安排 | 第25-26页 |
| 第二章 光导开关工作原理 | 第26-40页 |
| 2.1 半导体材料的光学特性 | 第26-35页 |
| 2.1.1 光与半导体相互作用简要介绍 | 第26-29页 |
| 2.1.2 本征光吸收 | 第29-30页 |
| 2.1.3 非本征光学吸收 | 第30-31页 |
| 2.1.4 电导率的计算 | 第31-35页 |
| 2.2 光导开关材料对比 | 第35-37页 |
| 2.3 光导开关的几种结构 | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 光导开关的设计与制备 | 第40-48页 |
| 3.1 光导开关的模拟 | 第40-41页 |
| 3.2 4H-SiC光导开关的制备 | 第41-46页 |
| 3.3 欧姆接触电阻率的测量 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 光导开关的测试 | 第48-64页 |
| 4.1 测试的基本原理 | 第48-50页 |
| 4.1.1 暗态特性测试 | 第48页 |
| 4.1.2 光导开关导通特性的测量 | 第48-50页 |
| 4.2 测试平台介绍 | 第50-55页 |
| 4.3 测试结果及分析 | 第55-63页 |
| 4.3.1 测量结果 | 第55-58页 |
| 4.3.2 深能级参与的非本征激发 | 第58-60页 |
| 4.3.3 光导开关内部电容的变化 | 第60-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 总结 | 第64页 |
| 5.2 展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 作者简介 | 第72-73页 |
