| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 专用术语注释表 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-42页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 聚合物半导体的合成和结构设计 | 第13-18页 |
| 1.2.1 共轭聚合物的合成方法 | 第14页 |
| 1.2.2 逐步聚合和链式聚合 | 第14-15页 |
| 1.2.3 聚合物半导体的设计理念 | 第15-16页 |
| 1.2.4 聚芴类半导体 | 第16-17页 |
| 1.2.5 支化共轭聚合物半导体 | 第17-18页 |
| 1.3 傅克反应制备有机半导体 | 第18-22页 |
| 1.3.1 傅克烷基化和酰基化反应制备聚合物 | 第18-19页 |
| 1.3.2 小分子半导体的合成 | 第19-20页 |
| 1.3.3 环状大分子半导体的合成 | 第20-21页 |
| 1.3.4 分子内环化合成半导体聚合物 | 第21-22页 |
| 1.4 有机电存储器件 | 第22-32页 |
| 1.4.1 衬底和电极 | 第24-25页 |
| 1.4.2 聚合物驻极体材料与性能 | 第25-30页 |
| 1.4.3 电阻型有机电存储材料 | 第30-31页 |
| 1.4.4 柔性有机电存储 | 第31-32页 |
| 1.5 本论文的设计思路和主要研究内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-42页 |
| 第二章 叔醇的傅克聚合反应制备支化打断型共轭聚合物 | 第42-66页 |
| 2.1 引言 | 第42-44页 |
| 2.2 实验部分 | 第44-53页 |
| 2.2.1 实验原料及仪器 | 第44-45页 |
| 2.2.2 聚合反应的合成路线设计 | 第45-47页 |
| 2.2.3 合成实验 | 第47-53页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第53-63页 |
| 2.3.1 反应条件对聚合度的影响及聚合反应机理的探究 | 第53-57页 |
| 2.3.2 合成与结构表征 | 第57-59页 |
| 2.3.3 形态及热力学性质 | 第59-60页 |
| 2.3.4 光物理性质 | 第60-62页 |
| 2.3.5 电化学性质 | 第62-63页 |
| 2.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第三章 p-n型支化打断型共轭聚合物 | 第66-78页 |
| 3.1 引言 | 第66页 |
| 3.2 实验部分 | 第66-72页 |
| 3.2.1 实验原料及仪器 | 第66页 |
| 3.2.2 聚合反应的合成路线设计 | 第66-68页 |
| 3.2.3 合成实验 | 第68-72页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第72-77页 |
| 3.3.1 原型实验分析 | 第72页 |
| 3.3.2 p-n型聚合物的合成与结构表征 | 第72-73页 |
| 3.3.3 形态及热力学性质研究 | 第73-74页 |
| 3.3.4 光物理性质 | 第74-75页 |
| 3.3.5 光谱的热稳定性能 | 第75-76页 |
| 3.3.6 电化学性质 | 第76-77页 |
| 3.4 本章小结 | 第77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
| 第四章 位阻功能化的支化打断型共轭聚合物及性能研究 | 第78-90页 |
| 4.1 引言 | 第78-79页 |
| 4.2 实验部分 | 第79-80页 |
| 4.2.1 实验原料及仪器 | 第79页 |
| 4.2.2 目标产物的合成与表征 | 第79-80页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第80-88页 |
| 4.3.1 合成与结构表征 | 第80-82页 |
| 4.3.2 形态及热力学性质 | 第82页 |
| 4.3.3 光物理性质 | 第82-84页 |
| 4.3.4 电化学性质 | 第84-85页 |
| 4.3.5 光谱的热稳定性 | 第85-86页 |
| 4.3.6 电化学稳定性 | 第86-88页 |
| 4.4 本章小结 | 第88页 |
| 参考文献 | 第88-90页 |
| 第五章 支化打断型共轭聚合物的电荷存储性能 | 第90-102页 |
| 5.1 引言 | 第90-91页 |
| 5.2 聚合物晶体管电存储的制备和表征 | 第91-92页 |
| 5.2.1 实验原料 | 第91页 |
| 5.2.2 器件的制备 | 第91-92页 |
| 5.2.3 器件的表征 | 第92页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第92-100页 |
| 5.3.1 并五苯薄膜的形貌表征 | 第92-93页 |
| 5.3.2 晶体管电存储的性能 | 第93-99页 |
| 5.3.3 晶体管电存储机理探究 | 第99-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-102页 |
| 第六章 石墨烯电极的制备及全溶液加工的有机电存储器件 | 第102-115页 |
| 6.1 引言 | 第102-103页 |
| 6.2 金属纳米线石墨烯的生长及讨论 | 第103-110页 |
| 6.2.1 实验原料及仪器 | 第103-104页 |
| 6.2.2 金属纳米线网格的制备及石墨烯的生长 | 第104-106页 |
| 6.2.3. 生长温度和时间对石墨烯质量的影响 | 第106-108页 |
| 6.2.4 生长石墨烯后的金属纳米线稳定性研究及应用 | 第108-110页 |
| 6.3 基于rGO电极的柔性有机电存储器件的制备和性能研究 | 第110-113页 |
| 6.3.1 条形状rGO电极的制备 | 第110-111页 |
| 6.3.2 有机电存储器件的全溶液加工法制备 | 第111-112页 |
| 6.3.3 柔性有机电存储器件的性能 | 第112-113页 |
| 6.4 总结 | 第113页 |
| 参考文献 | 第113-115页 |
| 第七章 总结与展望 | 第115-118页 |
| 附录1 部分化合物的NMR、GPC和IR谱图及电存储数据 | 第118-150页 |
| 附录2 攻读博士学位期间撰写的论文 | 第150-153页 |
| 附录3 攻读博士学位期间申请的专利 | 第153-154页 |
| 附录4 攻读博士学位期间参加的科研项目 | 第154-155页 |
| 致谢 | 第155页 |
