多晶硅定向凝固的热场模拟与静态磁场影响的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 立题背景 | 第8-12页 |
| 1.1.1 全球能源现状 | 第8-10页 |
| 1.1.2 太阳能电池的发展现状 | 第10-12页 |
| 1.2 多晶硅定向凝固技术 | 第12-18页 |
| 1.2.1 浇铸法 | 第13-14页 |
| 1.2.2 布里奇曼法 | 第14-15页 |
| 1.2.3 热交换法 | 第15-16页 |
| 1.2.4 定向凝固系统法 | 第16-17页 |
| 1.2.5 电磁铸造法 | 第17-18页 |
| 1.3 定向凝固多晶硅铸造技术发展现状 | 第18-22页 |
| 1.3.1 定向凝固多晶硅铸锭晶体生长研究进展 | 第18页 |
| 1.3.2 多晶硅定向凝固数值模拟研究 | 第18-21页 |
| 1.3.3 磁场作用下多晶硅定向凝固研究 | 第21-22页 |
| 1.4 本文研究的主要目的及内容 | 第22-24页 |
| 第2章 定向凝固过程的理论基础 | 第24-34页 |
| 2.1 定向凝固过程中的传热 | 第24-28页 |
| 2.1.1 晶体生长过程的导热 | 第24-26页 |
| 2.1.2 晶体生长过程的辐射传热 | 第26-28页 |
| 2.1.3 晶体生长过程的对流换热与界面换热 | 第28页 |
| 2.2 定向凝固过程中的传质 | 第28-34页 |
| 2.2.1 溶质扩散的基本方程 | 第28-30页 |
| 2.2.2 晶体生长过程中的杂质分凝 | 第30-31页 |
| 2.2.3 定向凝固过程中的成分过冷 | 第31-32页 |
| 2.2.4 固液界面的形态选择 | 第32-34页 |
| 第3章 多晶硅定向凝固热场模拟与分析 | 第34-46页 |
| 3.1 模拟软件的选取 | 第34-35页 |
| 3.2 几何模型与网格划分 | 第35-37页 |
| 3.3 控制方程 | 第37页 |
| 3.4 模拟结果与分析 | 第37-45页 |
| 3.4.1 硅料熔化过程 | 第37-40页 |
| 3.4.2 结晶初期 | 第40-43页 |
| 3.4.3 结晶中期 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 静态磁场对多晶硅定向凝固流场的影响 | 第46-67页 |
| 4.1 模型描述与控制方程 | 第46-48页 |
| 4.2 轴向磁场对多晶硅定向凝固流场的影响 | 第48-53页 |
| 4.2.1 轴向磁场 | 第48-49页 |
| 4.2.2 模拟结果与分析 | 第49-53页 |
| 4.3 横向磁场对多晶硅定向凝固流场的影响 | 第53-59页 |
| 4.3.1 横向磁场 | 第53-54页 |
| 4.3.2 模拟结果与分析 | 第54-59页 |
| 4.4 勾形磁场对多晶硅定向凝固流场的影响 | 第59-66页 |
| 4.4.1 勾形磁场 | 第59-60页 |
| 4.4.2 模拟结果与分析 | 第60-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 结论与展望 | 第67-70页 |
| 5.1 结论 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第77页 |
