| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 二维原子材料简介 | 第9-15页 |
| 1.1.1 石墨烯的研究现状 | 第9-11页 |
| 1.1.2 二维碳化硅的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.1.3 二维二硫化钼的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.2 二维原子材料的应用 | 第15-20页 |
| 1.2.1 石墨烯的电子器件应用 | 第15-18页 |
| 1.2.2 二维二硫化钼的电子器件应用 | 第18-20页 |
| 1.3 光电探测器的工作原理 | 第20-21页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第21-24页 |
| 第二章 二维原子半导体及器件的制备工艺和表征 | 第24-37页 |
| 2.1 二维原子半导体的制备方法 | 第24-29页 |
| 2.1.1 石墨烯的制备方法 | 第24-26页 |
| 2.1.2 二维碳化硅的制备方法 | 第26-28页 |
| 2.1.3 二维二硫化钼的制备方法 | 第28-29页 |
| 2.2 实验设备 | 第29-30页 |
| 2.3 器件的基本制备工艺 | 第30-32页 |
| 2.4 二维原子材料的表征方法 | 第32-35页 |
| 2.5 二维原子半导体异质结和光电器件的表征 | 第35-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 超薄二维碳化硅的制备与表征 | 第37-46页 |
| 3.1 研究背景 | 第37-39页 |
| 3.2 超薄二维碳化硅的实验研究 | 第39-45页 |
| 3.2.1 超薄二维碳化硅的制备过程 | 第40页 |
| 3.2.2 超薄二维碳化硅的表征 | 第40-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 硅掺杂石墨烯的制备与表征 | 第46-63页 |
| 4.1 研究背景 | 第46-50页 |
| 4.1.1 石墨烯的吸附掺杂 | 第46-48页 |
| 4.1.2 石墨烯的晶格掺杂 | 第48-50页 |
| 4.2 利用液态硅源制备硅掺杂石墨烯的实验研究 | 第50-54页 |
| 4.2.1 硅掺杂石墨烯的制备 | 第50-51页 |
| 4.2.2 硅掺杂石墨烯的结果分析 | 第51-54页 |
| 4.3 利用CVD法制备硅掺杂石墨烯的实验研究 | 第54-61页 |
| 4.3.1 CVD硅掺杂石墨烯的制备 | 第54-55页 |
| 4.3.2 CVD硅掺杂石墨烯的表征 | 第55-56页 |
| 4.3.3 提升CVD硅掺杂石墨烯掺杂含量的实验总结 | 第56-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 二硫化钼的制备及光电器件的应用 | 第63-70页 |
| 5.1 研究背景 | 第63页 |
| 5.2 薄层和单层二硫化钼的制备 | 第63-65页 |
| 5.3 基于二硫化钼/氮化镓异质结光电探测器的应用 | 第65-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 总结 | 第70页 |
| 6.2 展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第84页 |