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具有高载流子迁移率的二维半导体材料的设计与模拟

摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 绪论第7-21页
    1.1 引言第7-8页
    1.2 石墨烯的研究第8-11页
        1.2.1 石墨烯的结构第8-9页
        1.2.2 石墨烯的性质第9-10页
        1.2.3 石墨烯的潜在缺陷第10-11页
    1.3 二维石墨烯类似物的研究进展第11-16页
        1.3.1 h-BN第11-12页
        1.3.2 过渡金属二硫族化合物(TMDCs)第12页
        1.3.3 磷烯第12-13页
        1.3.4 硅烯、锗烯、锡烯第13-14页
        1.3.5 二维平面碳材料第14-16页
    1.4 本论文研究的指导思想第16-17页
    参考文献第17-21页
第二章 理论研究的计算方法第21-30页
    2.1 引言第21页
    2.2 量子力学基础理论第21-23页
        2.2.1 薛定谔方程第21-22页
        2.2.2 绝热近似第22页
        2.2.3 单电子近似第22页
        2.2.4 Hartree-Fock近似第22-23页
    2.3 密度泛函理论第23-25页
        2.3.1 Thomas-Fermi模型第24页
        2.3.2 Hohenberg-Kohn定理第24-25页
    2.4 交换关联泛函第25-27页
    2.5 本论文所用计算软件包简介第27-28页
    参考文献第28-30页
第三章 单层SnH的理论研究第30-45页
    3.1 引言第30-31页
    3.2 计算方法第31-32页
    3.3 结果与讨论第32-39页
        3.3.1 SnH的结构和电学性质第32-35页
        3.3.2 应力对SnH电学性质的影响第35-36页
        3.3.3 SnH的载流子迁移率第36-38页
        3.3.4 SnH的光学性质第38-39页
    3.4 本章小结第39-40页
    参考文献第40-45页
第四章 Be_2C单层和Be_2C纳米管的计算研究第45-63页
    4.1 引言第45-46页
    4.2 计算方法第46页
    4.3 结果与讨论第46-56页
        4.3.1 Be_2C单层电子性质第46-47页
        4.3.2 通过外力调控Be_2C单层能带结构第47-49页
        4.3.3 Be_2C单层载流子迁移率第49-50页
        4.3.4 Be_2C光学性质第50-51页
        4.3.5 Be_2C纳米管结构和电学性质第51-56页
    4.4 结论第56-57页
    参考文献第57-63页
第五章 总结第63-65页
在读期间发表的学术论文及研究成果第65-66页
致谢第66页

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